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IHW30N90T
IGBT+ DIODE,900V,30A,TO247; TRANSISTOR TYPE:IGBT; DC COLLECTOR CURRENT:30A; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES:1.7V; POWER DISSIPATION PD:428W; COLLECTOR
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IKA15N60T
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 14.7A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-220AB
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IKB03N120H2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, IGBT, 1200V, COLLECTOR CURRENT 3A, VCES 2.8V, 62.5W, D2PAK-3
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IKB15N60T
IGBT, LOW LOSS DUOPACK, THRENCH STOP, FIELD STOP, 600V, 15 A, TO-263-3, D2PAK-3
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IKCS12F60BB
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER MODULE, SINGLE IN LINE, 12 AMP, 600 V, 3 PHASE, SIP-20
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IKCS17F60B2A
IC CHIP, POWER MANAGMENT, MSIP-20-1, 17AMP
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IKD06N60RATMA1
IGBT, 6 A, 2.1 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 PINS
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IKFW90N60EH3XKSA1
IGBT, SINGLE, 600V, 77A, TO-247; CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT:77A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE:1.85V; POWER DISSIPATION:178W; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE MAX:600V; NO. OF PINS:3PINS; ...
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IKP06N60T
TRANSISTOR IGBT LOW LOSS DUOPACK 600V 6A
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IKP10N60T
(PRICE/EA) IGBT, N, 600V, 10A, TO-220; DC COLLECTOR CURRENT:20A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE VCE(ON):2.05V; POWER DISSIPATION PD:110W; COLLEC
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IKP10N60TXKSA1
IGBT, N, 600V, 10A, TO-220; CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT:20A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE:2.05V; POWER DISSIPATION:110W; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE MAX:600V; NO. OF PINS:3PINS; OPERA ...
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IKP15N60T
(PRICE/EA) IGBT SINGLE TRANSISTOR, GENERAL PURPOSE, 30 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 ;ROHS COMPLIANT: YES
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IKP20N60T
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-220AB
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IKW08N120CS7XKSA1
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 21A, TO-247; CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT:21A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE:1.65V; POWER DISSIPATION:106W; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE MAX:1.2KV; NO. OF PINS:3PINS ...
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€1,50
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IKW08T120
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT, 1200V, 8A, TO-247
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IKW15T120
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-247AC, MARKING K15T120
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IKW20N60TFKSA1
IGBT, 600V, SATURATION 1.5V, 41A, 166W, THROUGH HOLE, TO-247-3
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IKW25N120H3
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-247, K25H1203 MARKING CODE
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IKW25T120
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-247AC, K25T120
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IKW30N60H3
(PRICE/EA) IGBT+ DIODE,600V,20A,TO247; DC COLLECTOR CURRENT:30A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE VCE(ON):2.4V; POWER DISSIPATION PD:187W; COLLECT
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IKW30N60T
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-247-3
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INFINEON
IKW40N120T2
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-247-3
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IKW40T120
(PRICE/EA) IGBT, N, 1200V, 40A, TO-247; DC COLLECTOR CURRENT:75A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE VCE(ON):2.3V; POWER DISSIPATION PD:270W; COLLEC
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INFINEON
IKW50N60T
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-247AC, K50T06
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IKW75N60T
(PRICE/EA) IGBT, N, 600V, 75A, TO-247; DC COLLECTOR CURRENT:80A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE VCE(ON):2V; POWER DISSIPATION PD:428W; COLLECTOR
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IPA032N06N3 G
MOSFET N-CH 60V 84A TO220FP-3 OPTIMOS 3
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IPA50R250CP
MOSFET, N, TO-220; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:13A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:550V; ON RESISTANCE RDS(ON) :250MOHM; RDS(
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IPA60R099C6
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 600V, 37.9A, TO220-FP; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:37.9A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:600V;
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IPA60R125CP
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 650V, 25A, TO-220FP; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:25A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:650V; ON R
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IPA60R199CP
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC, MOSFET, N CHANNEL, 650V, 16A, TO-220
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IPA65R150CFD
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 22.4A, 650V, 0.15OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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IPA65R380E6
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 10.6A I(D), 650V, 0.38OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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IPB011N04NG
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, MOSFET, N CHANNEL, 1 CHANNEL, SOURCE VOLTAGE 40V, DRAIN CURRENT180A, TO-263-7
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IPB025N08N3G
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 80V, 120A, TO-263; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:120A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:80V; ON RES
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INFINEON
IPB09N03LA
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 50A I(D), 25V, 0.0151OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB D2-PAK
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IPB10N03L
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BUCK CONVERTER
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IPB47N10S33
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, MOSFET, N-CHANNEL, 20V, 47A, 175W, D2PAK, TO-263-3
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IPB50R140CP
IC, MOSFET, COOLMOS CE SERIES, SMD/SMT, TO-263-3, N-CHANNEL, 1 CHANNEL, 23 AMP, 500 VAC
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IPB50R250CPATMA1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, MOSFET, N-CHANNEL, DRAIN VOLTAGE: 550 VOLT, DRIVE VOLTAGE: 10 VOLT,13 AMP, 114 WATT, SURFACE MOUNT, +-20 VGS MAX, 1420 PF @ 100 V
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INFINEON
IPB530N15N3G
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 21A I(D), 150V, 0.053OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB, 530N15N MARKING
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INFINEON
IPB60R125CP
MOSFET, N CH, 650V, 25A, TO-263; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:25A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:650V; ON RESISTANCE RDS(ON):
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INFINEON
IPB60R160P6ATMA1
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 600V, 0.16OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB, 6R160P6 MARKING CODE
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INFINEON
IPB65R110CFD7ATMA1
TRANSISTOR, MOSFET, MOUNTING STYLE: SMD/SMT, PACKAGE / CASE: D2PAK-3 (TO-263-3), N-CHANNEL, 650 V, 22 A
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INFINEON
IPB70N04S4-06
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, MOSFET, N-CH, 40V, 70A, D2PAK-2, OPTIMOS-T2, 1 CHANNEL
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INFINEON
IPD068N10N3
MOSFET TRANSISTOR, N CHANNEL, 90 A, 100 V, 0.0057 OHM, 10 V, 2.7 V ROHS COMPLIANT: YES
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INFINEON
IPD06N03LAG
TRANSISTORS - FETS, MOSFETS - SINGLE, N-CHANNEL 25 V 50A (TC) 83W (TC) SURFACE MOUNT PG-TO252-3-11
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