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FS150R12KT4
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 150A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, ECONOPACK 3
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SPA12N50C3
MOSFET, N, 500V, TO-220F; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:11.6A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:500V; ON RESISTANCE RDS(ON) :380M
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BTS432E2E3062A
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 1 DRIVER, 44A, MOS, GREEN, PLASTIC, TO-220AB, 5 PIN
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SAB-C167CR-LM
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MICROCONTROLLER, 16-BIT, MROM, 80166 CPU, 25MHZ, CMOS, PQFP144
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BTS50055-1TMA
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC, POWER SWITCH, HIGH SIDE, 34V, 70A, 170W, 80US ON, 30US OFF, TO-220-7
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EUPEC
DDB6U134N16RR
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, DIODE MODULE, 1.6 KV, 35 AMP, 1.35 V, BRIDGE
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INFINEON
BSM200GB120DLC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 420A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BSM10GD120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, THREE PHASE FULL BRIDGE, 15 A CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT, 1.2KV COLLECTOR EMITTER VOLTAGE, 80W POWER DISSIPATION, -40/150C OPERATING TEMP, CHASSI ...
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INFINEON
IPP60R099CP
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 650V, 31A, TO-220; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:31A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:650V; ON RES
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IPW60R045CP
MOSFET, N CHANNEL, TO-247, TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:60A, DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:650V, ON RES
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SPD06N80C3
(PRICE/TC) MOSFET, N CHANNEL, 800V, 6A, TO-252; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:6A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:800V; ON RESIS
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INFINEON
T879N18TOF
THRYISTOR 879AMP 1800V 1.8KV 17.5KA PACK OF 3
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BSP772T
IC, SMART SWITCH, PWR HIGH SIDE MINI-PROFET, N-CHANNEL, INPUT 5-34V, CURRENT OUTPUT 2.6A, SOIC-8, WIDTH 3.9 MM
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EUPEC
FS100R12KS4
SEMICONDUCTOR, IGBT MODULE, 1200 V, 100 A
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IPD12CN10NGATMA1
MOSFET, N-CH, 100V, 67A, TO252-3
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INFINEON
IPD60R385CP
(PRICE/TC) MOSFET, N CHANNEL, 650V, 9A, TO-252-3; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:9A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:650V; ON RES
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IPP037N06L3G
MOSFET, N CH, 90A, 60V, PG-TO220-3; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:90A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:60V; ON RESISTANCE RDS(ON
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INFINEON
IPP057N08N3G
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MOSFET, N-CH, 80V, 80A, TO220-3
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INFINEON
IPW60R190C6
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MOSFET, N-CHANNEL, 600V, 20.2A, TO-247, MARKING: 6R190C6
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IPW90R500C3
TRANSISTOR, MOSFET, N-CHANNEL, 1 CHANNEL, 900V, 11A, 156W, 400NS OFF, 70NS ON, TO-247-3
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ITS640S2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 1 DRIVER, 12.6A, TO-220-7
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ITS711L1
IC, POWER SWITCH, HIGH SIDE, 4 OUTPUT, 5-34V, 4A, 3.6W, 400US ON/OFF, SOIC-20
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INFINEON
SPA06N80C3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MOSFET, N CHANNEL, 800V, 6A, TO-220FP
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SPA07N60C3
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 650V, 7.3A, TO-220FP-3; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:7.3A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:650V;
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SPA20N60CFD
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 20.7A I(D), 600V, 0.22OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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SPB17N80C3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 17A I(D), 800V, 0.29OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263-3, MARKING CODE: 17N80C3
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INFINEON
FP50R12KT4_B11
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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TT500N18KOF
THYRISTOR, 60 MM POWER BLOCK 1800 V, 500 AMP MODULE FOR SRC PHASE CONTROL
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FF450R17ME4
IGBT MODULE, DUAL, 1700 V, 450 A
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BSM150GB120DLC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 150A, 1200V
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SPD06N60C3
(PRICE/TC) MOSFET, N CHANNEL, 650V, 6.2A, TO-252-3; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:6.2A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:650V; ON
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SPU02N60C3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MOSFET, N-CH, 600V, 1.8A, TO-251, MARKING 02N60C3
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2ED020I12-FI
HALF BRIDGE BASED IGBT/MOSFET DRIVER, 2A, SOP-18
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BSC123N08NS3G
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 55A I(D), 80V, 0.0123OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TDSON-8
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BSP318S
TRANSISTOR, MOSFET, N-CHANNEL, 1 CHANNEL, 60V, 2.6A, 1.8W, 15NS FALL/RISE, 20NS OFF, 12NS ON, SOT-223-4
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BTS410E2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 1 DRIVER, 1.8A, MOS, TO-220AB, 5 PIN
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ICE3A2565
IC, MOSFET, INTELLIGENT DRIVER; INPUT VOLTAGE:265V; OUTPUT VOLTAGE:650V; SUPPLY VOLTAGE RANGE:8.5V TO 21V; VOLTAGE REGULATOR CASE STYLE:DIP; NO. OF PI
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IKB03N120H2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, IGBT, 1200V, COLLECTOR CURRENT 3A, VCES 2.8V, 62.5W, D2PAK-3
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IKB15N60T
IGBT, LOW LOSS DUOPACK, THRENCH STOP, FIELD STOP, 600V, 15 A, TO-263-3, D2PAK-3
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IKP20N60T
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-220AB
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IKW08T120
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT, 1200V, 8A, TO-247
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IKW40T120
(PRICE/EA) IGBT, N, 1200V, 40A, TO-247; DC COLLECTOR CURRENT:75A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE VCE(ON):2.3V; POWER DISSIPATION PD:270W; COLLEC
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INFINEON
FF225R12ME4
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 320A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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TT330N16KOF
POWER MODULE, THYRISTOR, 1600V, 330A, 115X50 MM
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IKW75N60T
(PRICE/EA) IGBT, N, 600V, 75A, TO-247; DC COLLECTOR CURRENT:80A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE VCE(ON):2V; POWER DISSIPATION PD:428W; COLLECTOR
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IPA60R125CP
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 650V, 25A, TO-220FP; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:25A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:650V; ON R
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IPB025N08N3G
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 80V, 120A, TO-263; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:120A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:80V; ON RES
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