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EUPEC
BSM300GA120DN2SE3256
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT TRANSISTOR, 1200 V, 300 AMP, SINGLE, 1.4"(H) X 4.15"(W) X 2.45"(D)
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EUPEC
BSM300GA120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 430 AMP (25 DEG C), 300 AMP (80 DEG C), 1200 V
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EUPEC
BSM300GA120DLC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 570A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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EUPEC
BSM25GP120
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BSM25GD120DN2E3224
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, SHORT PINS
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EUPEC
BSM25GD120DN2
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, LONG PINS
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EUPEC
BSM200GB120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 290A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
BSM200GB120DLC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 420A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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EUPEC
BSM200GAL120DN2
TRANSISTOR BLOCK 290AMP 1200V
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EUPEC
BSM200GA120DN2C
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 200 AMP, 1200 V
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EUPEC
BSM200GA120DN2
IGBT MODULES, SINGLE CONFIGURATION, 300 AMP, 1200 V, 2.5 V, 1550 W, CHASSIS MOUNT
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EUPEC
BSM15GP60
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 600V 15A PIM
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EUPEC
BSM15GP120
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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EUPEC
BSM15GD120DN2E3224
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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EUPEC
BSM15GD120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
EUPEC
BSM150GT120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE BLOCK, 200A, 1200V
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EUPEC
BSM150GB60DLC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, HALF-BRIDGE, 150 AMP, 600 V
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EUPEC
BSM150GB120DN2F
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 210A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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EUPEC
BSM150GB120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 210A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BSM150GB120DLC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 150A, 1200V
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BSM150GAR120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT TRANSISTOR, 1200 V, 150 A, CHASSIS-MOUNT, SINGLE CONFIGURATION
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EUPEC
BSM10GP60
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL
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EUPEC
BSM10GP120
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
BSM10GD120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, THREE PHASE FULL BRIDGE, 15 A CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT, 1.2KV COLLECTOR EMITTER VOLTAGE, 80W POWER DISSIPATION, -40/150C OPERATING TEMP, CHASSI ...
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EUPEC
BSM-100GD120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 150A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BSM100GB60DLC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 130A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL
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EUPEC
BSM100GB120DN2K
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
EUPEC
BSM100GB120DN2E-3256
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR MODULE, 1 GBT, 100 AMP, 1200 VOLT DUAL
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INFINEON
EUPEC
BSM100GB120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR MODULE, IGBT, HALF BRIDGE, 1200V, 150 AMP, DUAL, CHASSIS MOUNT, 30X106.4X61.4MM
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INFINEON
BSM100GB120DLCK
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 1200 VAC, 100 AMP, DUAL, CONFIGURATION: HALF BRIDGE, MOUNTING STYLE: SCREW MOUNT
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INFINEON
BSC520N15NS3G
MOSFET, N CHANNEL, 150V, 21A, TDSON-8
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BSC340N08NS3G
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 80V, 23A, 8TDSON; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:23A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:80V; ON RESIS
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INFINEON
BSC150N03LDG
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 30V, 20A, PG-TSDSON; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:20A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:30V; ON RE
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INFINEON
BSC123N10LS G
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 71A, PG-TSDSON-8
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INFINEON
BSC123N08NS3G
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 55A I(D), 80V, 0.0123OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TDSON-8
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INFINEON
BSC120N03LSG
MOSFET, N CHANNEL, 1 CHANNEL, 30V, 39A, 10M OHM, TDSON-8-5, MARKING CODE 120N03LS
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INFINEON
BSC100N06LS3G
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 12A I(D), 60V, 0.01OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TDSON-8
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INFINEON
BSC093N04LSG
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 13A I(D), 40V, 0.0093OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TDSON-8
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INFINEON
BSC042N03LSG
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 30V, 93A, PG-TSDSON; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:93A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:30V; ON RE
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INFINEON
EUPEC
BISCR5012X
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER DISTRIBUTION BLOCK, DUAL SCR, 5HP
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INFINEON
BDP948
TRANSISTOR, BIPOLAR, BJT, PNP, SILICON, AF POWER TRANSISTOR
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INFINEON
BCW67B
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BIPOLAR BJT TRANSISTOR, PNP, SINGLE, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE MAX: 32V, COLLECTOR BASE VOLTAGE: 45V, EMITTER BASE VOLTAGE: 5V, MAX DC COLLECTOR CURRENT: 800MA, ...
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INFINEON
BCV62C
TRANSISTOR, DUAL, PNP, SOT-143; TRANSISTOR POLARITY:PNP; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE V(BR)CEO:30V; TRANSITION FREQUENCY TYP FT:250MHZ; POWER DISSIPATION
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INFINEON
BCV61CE6327
(PRICE/TC) BIPOLAR TRANSISTOR; TRANSISTOR POLARITY:NPN; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE V(BR)CEO:30V; POWER DISSIPATION PD:300MW; DC COLLECTOR CURRENT:100MA
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