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INFINEON
FF300R17KE3
IGBT MODULE, DUAL CONFIGURATION, 1700 V, 300 A, IGBT3 - E3
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INFINEON
EUPEC
TD250N16KOF
SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 410A I(T)RMS, 250A I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 ELEMENT
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INFINEON
EUPEC
BSM50GD120DN2E326
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BLOCK, LONG LEADS
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INFINEON
DDB6U205N16L
BRIDGE RECTIFIER DIODE, 208A, 1600V V(RRM)
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INFINEON
EUPEC
BSM100GB120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR MODULE, IGBT, HALF BRIDGE, 1200V, 150 AMP, DUAL, CHASSIS MOUNT, 30X106.4X61.4MM
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INFINEON
FP75R12KE3
IGBT MODULE, 3-PHASE INVERTER, 1200 V MAX. EMITTER VOLTAGE, 105 AMPS CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT, 355 W POWER DISSIPATION, CHASSIS MOUNT
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INFINEON
BSM10GD120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, THREE PHASE FULL BRIDGE, 15 A CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT, 1.2KV COLLECTOR EMITTER VOLTAGE, 80W POWER DISSIPATION, -40/150C OPERATING TEMP, CHASSI ...
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INFINEON
EUPEC
DDB6U134N16RR
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, DIODE MODULE, 1.6 KV, 35 AMP, 1.35 V, BRIDGE
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INFINEON
EUPEC
BSM25GD120DN2
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, LONG PINS
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INFINEON
TT285N16KOF
POWERBLOCK THYRISTOR MODULE, 50MM, 450AMP, 1600V
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INFINEON
EUPEC
TT250N16KOF
SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 410A I(T)RMS, 250A I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 ELEMENT, 115X50 MM
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INFINEON
DDB6U215N16L
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BRIDGE RECTIFIER DIODE, 215A, 1600V V(RRM)
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INFINEON
EUPEC
DDB6U104N16RR
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, DIODE MODULE, BRIDGE, 1.6KV, 25A, SCREW
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INFINEON
FS25R12KT3BPSA1
IGBT MODULES N, 1.2KV, 40A,145W,
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INFINEON
TD162N16KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, THYRISTOR/DIODE MODULE, POWER BLOCK, 34 MM HOUSING, 1600V, 162A
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INFINEON
T640N14TOF
SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 1450A I(T)RMS, 644A I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 ELEMENT
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INFINEON
EUPEC
FP50R12KE3
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
BSM50GB170DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, N-CHANNEL, HALF BRIDGE, SILICON, 1700V, 50A, 500W, 7 PIN, 94X34X30.5 MM
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INFINEON
EUPEC
FP20R06KL4
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 25A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
EUPEC
BSM15GD120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
EUPEC
FZ600R12KE3
SINGLE SWITCH, IGBT MODULE, 1200 V, 600 AMP, EMITTER CONTROLLED, 3 DIODE, 62 MM
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INFINEON
EUPEC
TT251N16KOF
POWER MODULE, 250AMP,1600V, DUEL
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INFINEON
FS75R12KE3G
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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EUPEC
BSM75GD120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 103A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
FS100R12KT3
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 140A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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EUPEC
FF300R12KE3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 300 AMP, 1200 V, DUAL, CHASSIS MOUNT
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INFINEON
TT61N16KOF
SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 120A I(T)RMS, 60000MA I(T), 1600V, 2 ELEMENT
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INFINEON
BSM35GD120DN2E3224
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
EUPEC
BSM75GB120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
DD89N16-K
DIODE, POWER BLOCK, 20MM, 1600V, 89A
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INFINEON
FP35R12KT4_B16
IGBT MODULE, 1200 V, 35 A THREE PHASE PIM
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INFINEON
EUPEC
BSM50GB120DLC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE 50AMP 1200V
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INFINEON
EUPEC
TT104N14KOF
SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 160A I(T)RMS, 104000MA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 2 ELEMENT
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INFINEON
FF450R12ME4B11BPSA2
IGBT, 1.2KV, 675A, MODULE; CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT:675A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE:1.75V; POWER DISSIPATION:2.25KW; OPERATING TEMPERATURE MAX:150°C; IGBT TERMINATION:PRESS FI ...
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EUPEC
BSM150GB120DN2F
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 210A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
EUPEC
BSM15GD120DN2E3224
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
EUPEC
BSM15GP120
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
EUPEC
BSM200GA120DN2
IGBT MODULES, SINGLE CONFIGURATION, 300 AMP, 1200 V, 2.5 V, 1550 W, CHASSIS MOUNT
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EUPEC
BSM10GP60
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
TT251N16KOF
THYRISTOR POWER BLOCK 250AMP 1600V 50MM
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EUPEC
TD92N16KOF
IGBT POWER BLOCK MODULE, 1.6KV, 2.05KA, THYRISTOR/DIODE, 20 MM, 1600 V, 92 A
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INFINEON
TD180N16KOF
SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 285A I(T)RMS, 180A I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 ELEMENT
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INFINEON
EUPEC
BSM400GA120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 550A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
BSM100GAL120DLCK
IGBT MODULE, 100 AMP, 1200 V
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INFINEON
TT92N16KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, THYRISTOR, 92 AMP, 1600 V
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INFINEON
FS20R06VE3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 25A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
TDB6HK124N16RR
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 70A I(T)RMS, 1600V V(RRM), 3 ELEMENT, REPLACED BY TDB6HK124N16RRBPSA1
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