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BSM50GD120DN2E326
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BLOCK, LONG LEADS
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BSM50GD60DLC
IGBT MODULE, 600 VOLTS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE VCEO MAX, 2.2 VOLTS COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE, 70 AMP CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT AT 25 C
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BSM50GP120
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BSM50GX120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 3PHASE, 1200V, 78A
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BSM600GA120DLC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 600A, 1200V
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BSM75GAL120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BSM75GB120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BSM75GD120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 103A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BSM75GP60
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BSO220N03MD G
TRANSISTOR, MOSFET, SOIC-8, N-CHANNEL, 2W
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BSO613SPVGXUMA1
TRANSISTOR, SIPMOS SERIES, MOSFET, P-CHANNEL, 60 VDSS, 3.44 A, 130 MOHM, 2.5 W, SURFACE MOUNT
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BSP125
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, MOSFET, N CHANNEL, 600V, 120MA, -55 TO 150 DEG. C, SOT-223
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BSP129
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0.35A I(D), 240V, 20OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, SOT-223 4 PIN
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BSP171P
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1.9A I(D), 60V, 0.3OHM, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, SOT-223 4 PIN
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BSP296
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1.1A I(D), 100V, 0.7OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, SOT223-4
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BSP92
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0.18A I(D), 240V, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET
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EUPEC
BSTR68L2337
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SEMICONDUCTOR, THYRISTOR MODULE, DISCREET, 3 INCH DIAMETER, 1-1/2 INCH THICKNESS
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BSZ088N03LS
MOSFETS N-CH 30V 40A TSDSON-8 OPTIMOS 3
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BTN7970P
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGNITION CONTROL, HALF BRIDGE, 8 TO 18 V OPERATING SUPPLY
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BTS129
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MOSFET, N-CHANNEL, THROUGH HOLE, CASE TO220
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BTS129 E3045A
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, MOSFET, N-CHANNEL, 1 CHANNEL, 50MOHMS, TO-220-3
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BTS409L1E3062AAUMA1
POWER SWITCH/DRIVER, 1:1, N-CHANNEL 2.3A, PG-TO263-5-2, 5V-34V, 2.3A
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BTS410F2 E3043
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SMART HIGHSIDE POWER SWITCH, BUFFER/INVERTER, PERIPHERAL DRIVER, 5.5A, MOS, 5 PIN, STRAIGHT LEADS, TO-220AB/5
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BTS432E2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 1 DRIVER, 44A, MOS, TO-220 5 PIN
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BTS611L1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 2 DRIVER, 7.5A, MOS, TO-220-7
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BTS660P E3180A
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 1 DRIVER, 90A, MOS, TO-220-7 SMD
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BTS711L1
POWER SWITCH IC, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, CLASSIC PROFET SERIES, 4 DRIVER, 4.4 AMP, MOS, SOP-20, SMD/SMT
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BTS712N1
SMART HIGH-SIDE POWER SWITCH, 4 INPUTS, 4 OUTPUTS, OPERATING SUPPLY VOLTAGE 5V - 34V, SURFACE MOUNT, PG-DSO-20
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BTS740S2
IC, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 2 DRIVER, 8.5A, CMOS, SOP-20
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BTS7740G
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, GATE DRIVER, SMD/SMT MOUNTING, DSO-28 CASE, 4 MA SUPPLY CURRENT, 3.2-42 V SUPPLY VOLTAGE
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BUP314D
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 42A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, WITH BUILT IN DIODE, TO-218
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, 300A, 1.7KV
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BYS21-45
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SCHOTTKY RECTIFIER,DIODE, THROUGH HOLE, AXIAL LEADED, DO-15
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CY2305SXC-1HT
(PRICE/TC),CLOCK GENERATOR / BUFFER, 133.33MHZ, SOIC-8, CLOCK IC TYPE:CLOCK BUFFER, FREQUENCY:133.33MHZ, NO. OF OUTPUTS:5OUTPUTS, SUPPLY VOLTAGE MIN:3V, SUPPLY VOLTAGE MAX:3.6V, CLOCK IC CAS ...
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CY3235-PROXDET
DISCONTINUED BY MANUFACTURER DEVELOPMENT KIT; SILICON MANUFACTURER:CYPRESS; SILICON CORE NUMBER:CY8C21434; KIT APPLICATION TYPE:SENSING - TOUCH / PROXIMITY; APPLICATION SUB TYPE:P
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CY62126EV30LL-45ZSXI
SRAM, 1MBIT, PARALLEL, 45NS, TSOP-44, MEMORY SIZE:1MBIT, SRAM MEMORY CONFIGURATION:64K X 16BIT, SUPPLY VOLTAGE RANGE:2.2V TO 3.6V, MEMORY CASE STYLE:TSOP, NO. OF PINS:44PINS, ACCESS TIME:45N ...
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CY62128BNLL-70SC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC, STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMOS, SOIC-32
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CY62128ELL-45SXI
SRAM, 1MBIT, 4.5V TO 5.5V, SOIC-32; SRAM TYPE:ASYNCHRONOUS SRAM; MEMORY CONFIGURATION:128K X 8BIT; IC CASE / PACKAGE:SOIC; NO. OF PINS:32PINS; SUPPLY VOLTAGE MIN:4.5V; SUPPLY VOLTAGE MAX:5.5 ...
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SRAM, 1MBIT, 4.5V TO 5.5V, TSOP-32; SRAM TYPE:ASYNCHRONOUS SRAM; MEMORY CONFIGURATION:128K X 8BIT; IC CASE / PACKAGE:TSOP; NO. OF PINS:32PINS; SUPPLY VOLTAGE MIN:4.5V; SUPPLY VOLTAGE MAX:5.5 ...
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CY62128EV30LL-45SXI
SRAM, 1MBIT, 2.2V TO 3.6V, SOIC-32; SRAM TYPE:ASYNCHRONOUS SRAM; MEMORY CONFIGURATION:128K X 8BIT; IC CASE / PACKAGE:SOIC; NO. OF PINS:32PINS; SUPPLY VOLTAGE MIN:2.2V; SUPPLY VOLTAGE MAX:3.6 ...
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CY62146ELL-45ZSXI
SRAM, 4 MBIT, 256K X 16 BIT, 45 NS, TSOPII-44, SUPPLY VOLTAGE: 4.5 - 5.5V, ROHS COMPLIANT
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CY62147EV30LL-45BVXI
IC, SRAM, ASYNCHRONOUS MEMORY IC, 4MB (256K X 16), PARALLEL, 45 NS, SMD, 48-VFBGA (6X8), ROHS COMPLIANT
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CY62147EV30LL-45ZSXI
MICROPOWER SRAMS ROHS COMPLIANT: YES
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CY62148ELL-45ZSXI
SRAM, 4MBIT, 4.5V TO 5.5V, TSOP-II-32; SRAM TYPE:ASYNCHRONOUS SRAM; MEMORY CONFIGURATION:512K X 8BIT; IC CASE / PACKAGE:TSOP-II; NO. OF PINS:32PINS; SUPPLY VOLTAGE MIN:4.5V; SUPPLY VOLTAGE M ...
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SRAM, 4MBIT, 512KX8, 5V, SOIC32, MEMORY SIZE:4MBIT, CONFIGURATION:512K X 8BIT, SUPPLY VOLTAGE RANGE:4.5V TO 5.5V, SOIC-32, ACCESS TIME:55NS, OPERATING TEMPERATURE MIN:-40C, ROHS COMPLIANT: Y ...
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SRAM, 4MBIT, 2.2V TO 3.6V, SOIC-32; SRAM TYPE:ASYNCHRONOUS SRAM; MEMORY CONFIGURATION:512K X 8BIT; IC CASE / PACKAGE:SOIC; NO. OF PINS:32PINS; SUPPLY VOLTAGE MIN:2.2V; SUPPLY VOLTAGE MAX:3.6 ...
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CY62157EV30LL-45ZXI
SRAM, 8MBIT, PARALLEL, 45NS, TSOP-48, MEMORY SIZE:8MBIT, SRAM MEMORY CONFIGURATION:512K X 16BIT, SUPPLY VOLTAGE RANGE:2.2V TO 3.6V, MEMORY CASE STYLE:TSOP, NO. OF PINS:48PINS, ACCESS TIME:45 ...
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