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BUZ31LH
MOSFET, N-CHANNEL 200V 13.5A (TC) 95W (TC) THROUGH HOLE PG-TO220-3
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INFINEON
BTS426L1E3062A
IC HIGH SIDE PWR SWITCH TO220-5 SMD
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INFINEON
CYPRESS SEMI
CY62157DV30L-55ZXI
IC, STANDARD SRAM, 512KX16, 55NS, CMOS, PDSO48
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INFINEON
HYS64D32300GU-6-B
MEMORY RAM, 256 MBM PC333, 32MX8, CL2.5, 2.5 V, PC2700, 184 PIN
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INFINEON
CYPRESS SEMI
CY2254ASC-1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, PROCESSOR SPECIFIC CLOCK GENERATOR, 66.66MHZ, MOS, SOIC-28
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INFINEON
CYPRESS SEMI
CY62148EV30LL-45ZSXIT
STANDARD SRAM, 512KX8, 45NS, CMOS, LOW LOW POWER, IND TEMP, TSOP2-32, CUT TAPE
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INFINEON
HYS64D32020GDL-6-C
DR SDRAM MEMORY MODULE 256MB
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INFINEON
BSP752T
IC,BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 1 DRIVER, 1.7A, SOP-8
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INFINEON
HYS64T32000HU-3.7-A
MEMORY BOARD 240PIN 256MB 1RX16 533MHZ
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INFINEON
EUPEC
BSM50GB100D
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 50A I(C), 1000V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
EUPEC
141958-DT61N
DISTRIBUTION POWERBLOCK 3SCREW
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INFINEON
EUPEC
FF150R12KE3G
IGBT MODULE, 1200V, 150A, DUAL
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INFINEON
TLE4270-2G
FIXED LDO VOLTAGE REGULATOR, 6V TO 42V, 350MV DROPOUT, 5VOUT, 650MAOUT, TO-263-5, ROHS COMPLIANT: YES
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€4,69
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INFINEON
BSP350
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, MINIPROFET HIGH-SIDE SWITCH, 1.2A, SOT223-3
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INFINEON
SPI20N60C3
TRANSISTOR, POWER FIELD-EFFECT, 20.7 AMP, 600 V, 0.19 OHM, 1 ELEMENT, N-CHANNEL, TO-262-3
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INFINEON
EUPEC
DD241S12K-K
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER BLOCK MODULE, 240AMP, 1200V, FAST DUAL DIODE
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INFINEON
CYPRESS SEMI
CY7C128A-15VC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, STANDARD SRAM, 2KX8, 15NS, CMOS, PDIP24
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INFINEON
EUPEC
TT-25-N-14-KOF-3CD-OHK
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER BLOCK, TRANSISTOR, 3 POLE
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INFINEON
BUP314
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 52A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-218
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INFINEON
CYPRESS SEMI
CY62256LL-70SNI
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, STANDARD SRAM, 32KX8, 70NS, CMOS, LOW LOW POWER, SOIC-28, IND TEMP
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INFINEON
EUPEC
TT66N12KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BLOCK, THYRISTOR MODULE, TRANSISTOR, 120A
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INFINEON
IR2153STRPBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, DRIVER, HALF BRIDGE BASED MOSFET, CMOS, SOIC-8
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INFINEON
IPB025N08N3G
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 80V, 120A, TO-263; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:120A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:80V; ON RES
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INFINEON
IPA60R125CP
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 650V, 25A, TO-220FP; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:25A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:650V; ON R
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INFINEON
IKW50N60T
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-247AC, K50T06
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IKW40T120
(PRICE/EA) IGBT, N, 1200V, 40A, TO-247; DC COLLECTOR CURRENT:75A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE VCE(ON):2.3V; POWER DISSIPATION PD:270W; COLLEC
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INFINEON
IKP20N60T
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-220AB
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IKB15N60T
IGBT, LOW LOSS DUOPACK, THRENCH STOP, FIELD STOP, 600V, 15 A, TO-263-3, D2PAK-3
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IKB03N120H2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, IGBT, 1200V, COLLECTOR CURRENT 3A, VCES 2.8V, 62.5W, D2PAK-3
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IGW15T120
IGBT NPT, TRENCH FIELD STOP, 1200V, 30A, 110W, TO247
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IGA03N120H2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 3A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-220AB-3 FP, MARKING: G03H1202
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BTS410E2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 1 DRIVER, 1.8A, MOS, TO-220AB, 5 PIN
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INFINEON
BSP372L6327
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1.7A I(D), 100V, 0.31OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR, SOT-223
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BSC123N10LS G
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 71A, PG-TSDSON-8
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BSC123N08NS3G
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 55A I(D), 80V, 0.0123OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TDSON-8
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BSC093N04LSG
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 13A I(D), 40V, 0.0093OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TDSON-8
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INFINEON
2ED020I12-FI
HALF BRIDGE BASED IGBT/MOSFET DRIVER, 2A, SOP-18
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INFINEON
SPW35N60C3
MOSFET, N-CHANNEL, 650V, 34.6A, TO-247
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INFINEON
SPU02N60C3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MOSFET, N-CH, 600V, 1.8A, TO-251, MARKING 02N60C3
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SPD06N60C3
(PRICE/TC) MOSFET, N CHANNEL, 650V, 6.2A, TO-252-3; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:6.2A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:650V; ON
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INFINEON
SPA20N60CFD
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 20.7A I(D), 600V, 0.22OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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