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CYPRESS SEMI
CY7C131-55NC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, DUAL-PORT SRAM, 1KX8, 55NS, PQFP52
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DDB6U85N16L
RECTIFIER DIODE MODULE 1600V 85A UN-CNTL
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IHW30N160R2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 60A I(C), 1600V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-247AC, MARKING: H30R1602
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IKW25T120
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-247AC, K25T120
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SPA11N60C3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 11A I(D), 600V, 0.38OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220PF
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SPA20N60C3
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 650V, 20.7A, TO-220FP; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:20.7A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:650V;
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CYPRESS SEMI
CY8C24894-24LTXI
MCU, 8BIT, M8C, 24MHZ, QFN-56, PRODUCT RANGE:PSOC 1 FAMILY CY8C24X94 SERIES MICROCONTROLLERS, CPU SPEED:24MHZ, PROGRAM MEMORY SIZE:16KB, RAM MEMORY SIZE:1KB, NO. OF PINS:56PINS, MCU CASE STY ...
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SAB-C165-LMHA
(PRICE/EA) 16 BIT MICROCONTROLLER, HIGH PERFORMANCE, C166, 20 MHZ, 2 KB, 100, MQFP ;ROHS COMPLIANT: YES
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IPD075N03LG
MOSFET, N CH, 30V, 50A, TO-252; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:50A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:30V; ON RESISTANCE RDS(ON):0.
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IPP50R350CP
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MOSFET, N CHANNEL, 10A, 500V, TO-220, 5R350P MARKING
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IPP60R190C6
MOSFET, N CH, 600V, 20.2A, TO220-3, MARKING: 6R190C6
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IPW60R070C6
FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR, 53 AMP, 600 V, 391 W, 63 MOHMS, FALL TIME: 5 NS, RISE TIME: 12 NS, 1 CHANNEL, N CHANNEL, TO-247-3, THROUGH HOLE
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ITS4880R
POWER SWITCH IC, PROFET, PG-DSO-36, POWER LOAD SWITCH TYPE:HIGH SIDE, INPUT VOLTAGE:45V, CURRENT LIMIT:1.1A, ON STATE RESISTANCE:0.15OHM
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INFINEON
SAK-C164CI-8EM
(PRICE/EA) 16 BIT MICROCONTROLLER, HIGH PERFORMANCE, C166, 20 MHZ, 64 KB, 2 KB, 80, MQFP ;ROHS COMPLIANT: YES
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INFINEON
SPA04N80C3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MOSFET, TO-220-3, TRANSISTOR POLARITY: N CHANNEL, CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID: 4 AMP, DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS: 800 VAC, MOUNTING STYLE: THROUGH HOLE
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SPA11N80C3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 11A I(D), 800V, 0.45OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB FULLY ISOLATED, 11N80C3 MARKING
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INFINEON
SPA15N60C3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 15A, 600V, 0.28OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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INFINEON
SPD02N60S5
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1.8A I(D), 600V, 3OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252-3
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SPW16N50C3
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 560V, 16A, TO-247-3; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:16A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:560V; ON R
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SPW20N60CFD
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, 650V, 20.7A, TO-247-3
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BSC042N03LSG
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 30V, 93A, PG-TSDSON; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:93A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:30V; ON RE
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BSP373
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MOSFET, N CH, 100V, 1.7A, SOT-223
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BTS555
MOSFET, SMART SWITCH, TO-218-5; DEVICE TYPE:MOSFET; MODULE CONFIGURATION:HIGH SIDE; PEAK OUTPUT CURRENT:165A; INPUT DELAY:600 S; OUTPUT DELAY:200 S; S
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ICE2A180Z
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SWITCHING REGULATOR, CURRENT-MODE, 1A, 107KHZ SWITCHING FREQ-MAX, PDIP7
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IGB03N120H2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 9.6A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-263AB, MARKING: G03H1202
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IHW30N90T
IGBT+ DIODE,900V,30A,TO247; TRANSISTOR TYPE:IGBT; DC COLLECTOR CURRENT:30A; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES:1.7V; POWER DISSIPATION PD:428W; COLLECTOR
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IKP10N60T
(PRICE/EA) IGBT, N, 600V, 10A, TO-220; DC COLLECTOR CURRENT:20A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE VCE(ON):2.05V; POWER DISSIPATION PD:110W; COLLEC
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IKW15T120
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-247AC, MARKING K15T120
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IKW25N120H3
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-247, K25H1203 MARKING CODE
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IKW30N60H3
(PRICE/EA) IGBT+ DIODE,600V,20A,TO247; DC COLLECTOR CURRENT:30A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE VCE(ON):2.4V; POWER DISSIPATION PD:187W; COLLECT
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IPB011N04NG
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, MOSFET, N CHANNEL, 1 CHANNEL, SOURCE VOLTAGE 40V, DRAIN CURRENT180A, TO-263-7
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CYPRESS SEMI
CY14B256LA-SZ25XIT
NON-VOLATILE SRAM, 32KX8, 25NS, CMOS, IND TEMP, SOIC-32
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TLE6250G
IC,SUITABLE FOR 12 V AND 24 V APPLICATIONS,CAN DATA TRANSMISSION RATE UP TO 1 MBAUD
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FP75R12KT4
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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CYPRESS SEMI
CY7C027V-20AXC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER SRAM 512KB 20NS 3.3V 32KX16 DUALPORT SRAM
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BSP742T
BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 1 DRIVER, 1.1A, MOS, SOIC-8
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CYPRESS SEMI
CY62128BLL70ZI
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC, STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMOS TSOP1-32
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EUPEC
T 508 N 16 TOC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, THYRISTOR DIODE, 60 MM CASE, 1800V 550VRMS
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EUPEC
TT-56-N-14-KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 100A I(T)RMS, 56000MA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 2 ELEMENT
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EUPEC
BISCR5012X
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER DISTRIBUTION BLOCK, DUAL SCR, 5HP
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IRS26302DJPBF
GATE DRIVERS 3-PHASE BRIDGE DRVR 600V 10 TO 20V 290NS, PLCC-32
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EUPEC
TD142N16KOF
POWER MODULE SCR DIODE 142AMP 1600V
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EUPEC
FP40R12KE3G
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BTS721L1
BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 4 DRIVER, 9.8A, MOS, SOIC-20
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INFINEON
EUPEC
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER BLOCK, 160 AMP, 1200 V
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INFINEON
IKP06N60T
TRANSISTOR IGBT LOW LOSS DUOPACK 600V 6A
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INFINEON
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IGBT TRANSISTOR, HIGH SPEED 2 TECH, 1200 V, 1 AMP, G01H1202 MARKING CODE
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