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ITS4142N
IC, POWER SWITCH, N-CHANNEL, HIGH SIDE TYPE, NON-INVERTING, 1:1 RATIO, 45V, 1.4A, SOT-223-4
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INFINEON
IPW60R075CP
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 39A, 600V, 0.075OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-247
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INFINEON
IPW60R070C6
FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR, 53 AMP, 600 V, 391 W, 63 MOHMS, FALL TIME: 5 NS, RISE TIME: 12 NS, 1 CHANNEL, N CHANNEL, TO-247-3, THROUGH HOLE
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INFINEON
IPP60R299CP
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 11A, 600V, 0.299OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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INFINEON
IPP60R250CP
MOSFET, N, TO-220; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:12A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:650V; ON RESISTANCE RDS(ON) :250MOHM; RDS(
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INFINEON
IPP50R350CP
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MOSFET, N CHANNEL, 10A, 500V, TO-220, 5R350P MARKING
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INFINEON
IPP075N15N3G
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 150V, 100A, TO-220-3; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:100A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:150V; ON
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INFINEON
IPD33CN10NG
MOSFET, N CH, 27A, 100V, PG-TO252-3; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:27A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:100V; ON RESISTANCE RDS(
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INFINEON
IPD075N03LG
MOSFET, N CH, 30V, 50A, TO-252; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:50A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:30V; ON RESISTANCE RDS(ON):0.
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INFINEON
EUPEC
BSM30GP60
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
FP06R12W1T4
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, PIM CONFIGURATION, IGBT4-T4 TECHNOLOGY, 1200V, 6A, EASYPIM 1B HOUSING, 48X33.8 MM
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INFINEON
SPA20N60C3
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 650V, 20.7A, TO-220FP; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:20.7A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:650V;
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INFINEON
SPA11N60C3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 11A I(D), 600V, 0.38OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220PF
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INFINEON
SPA04N60C3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4.5A I(D), 600V, 0.95OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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INFINEON
IPD135N03LG
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 30V, 30A, TO-252; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:30A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:30V; ON RESIS
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INFINEON
IKW25T120
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-247AC, K25T120
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€11,00
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INFINEON
IHW30N160R2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 60A I(C), 1600V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-247AC, MARKING: H30R1602
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INFINEON
IHW20N120R3
(PRICE/EA) IGBT+ DIODE, 1.2KV, 40A, TO-247; DC COLLECTOR CURRENT:40A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE VCE(ON):1.48V; POWER DISSIPATION PD:310W; C
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INFINEON
EUPEC
DD-105-N-12-L-16K9
DIODE-THYRISTOR POWER BLOCK
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INFINEON
CYPRESS SEMI
CY7C166-25PC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, STANDARD SRAM, 16KX4, 25NS, CMOS, PDIP24
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INFINEON
CYPRESS SEMI
CY62256L-70PC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, STANDARD SRAM, 32KX8, 70NS, CMOS, LOW POWER, PDIP28
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CYPRESS SEMI
CY62256LL-55SNXI
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, STANDARD SRAM, 32KX8, 55NS, CMOS, LOW LOW POWER, IND TEMP, SOIC-28
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INFINEON
CYPRESS SEMI
CY7C199C-15VC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, STANDARD SRAM, 32KX8, 15NS, CMOS, SOJ-28
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INFINEON
BTS432F2 E3062A
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 21A, MOS, SMD TO-220, 5PIN (D-PACK)
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INFINEON
CYPRESS SEMI
CY37064P100-125AXI
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, EE PLD, 10NS, 64-CELL, CMOS, IND TEMP, PQFP100, PB-FREE
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INFINEON
CYPRESS SEMI
CY7C197-25DC
STANDARD SRAM, 256KX1, 25NS, CMOS, CDIP24
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INFINEON
CYPRESS SEMI
CY7C1049BNL-17VC
STANDARD SRAM, 512KX8, 17NS, CMOS, SOJ-36
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BTS611L1E3128ABUMA1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 2 DRIVER, 7.5A, MOS, TO-263-7 SMD
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INFINEON
TLE6228GP
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 4 DRIVER, 7.5A, MOS, SOP-20
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INFINEON
TDA4862GGEG
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC, PFC, DISCONTINUOUS CONDUCTION (DCM), PG-DSO-8, SUPPLY VOLTAGE: 11V ~ 19V, OPERATING TEMPERATURE: -40C ~ 150C, ROHS3 COMPLIANT
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INFINEON
CYPRESS SEMI
CY7C199-15VC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER STANDARD SRAM, 32KX8, 15NS, CMOS, SOJ-28
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INFINEON
INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4BC20KD
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-220AB
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INFINEON
EUPEC
TT66N14-LOF
THYRISTOR BLOCK 1400V 66AMP
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EUPEC
TTB6C110N12KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 90A I(T)RMS, 110A I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 6 ELEMENT
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INFINEON
EUPEC
TD 66 N 12 LOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 120A I(T)RMS, 66000MA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 ELEMENT
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INFINEON
EUPEC
TT95N12KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 150A I(T)RMS, 95A I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 ELEMENT
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INFINEON
CYPRESS SEMI
CY7C131-15JXC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, DUAL-PORT SRAM, 1KX8, 15NS, CMOS, PQCC52
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INFINEON
CYPRESS SEMI
CY7C1021DV33-10ZSXIT
IC SRAM, 64KX16, 1MBIT, 10NS, IND TEMP, TSOPII-44
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INFINEON
CYPRESS SEMI
CY7C199D-10VXI
SRAM, 256KBIT, 4.5V TO 5.5V, SOJ-28; SRAM TYPE:ASYNCHRONOUS SRAM; MEMORY CONFIGURATION:32K X 8BIT; IC CASE / PACKAGE:SOJ; NO. OF PINS:28PINS; SUPPLY VOLTAGE MIN:4.5V; SUPPLY VOLTAGE MAX:5.5V ...
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INFINEON
CYPRESS SEMI
CY7C185-20PXC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SRAM, 8KX8, 20NS, CMOS, PDIP28
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INFINEON
CYPRESS SEMI
CY7C1352G-133AXC
SRAM, 4MBIT, PARALLEL, 4NS, TQFP-100, MEMORY SIZE:4MBIT, SRAM MEMORY CONFIGURATION:256K X 18BIT, SUPPLY VOLTAGE RANGE:3.135V TO 3.6V, MEMORY CASE STYLE:TQFP, NO. OF PINS:100PINS, ACCESS TIME ...
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INFINEON
CYPRESS SEMI
CY7C136-55NXC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MULTI-PORT SRAM, 2KX8, 55NS, CMOS, PQFP52
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INFINEON
CYPRESS SEMI
CY7C1041D-10ZSXI
DISCONTINUED BY MANUFACTURER STANDARD SRAM, 256KX16, 10NS, CMOS, TSOPII-44
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INFINEON
IRF7241PBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6.2A I(D), 40V, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, SO-8
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INFINEON
IRF7201TRPBF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7.3A I(D), 30V, 0.03OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, SOIC-8
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INFINEON
IRF540ZPBF
N CHANNEL MOSFET, 100V, 36A, TO-220AB, ON RESISTANCE RDS(ON): 0.0265OHM, TRANSISTOR MOUNTING: THROUGH HOLE, ROHS COMPLIANT: YES
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INFINEON
IRF540NSTRRPBF
N CHANNEL MOSFET, 100V, 6.5A D2-PAK; CHANNEL TYPE:N CHANNEL; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:100V; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:33A; TRANSISTOR MOUNTING:SURFACE MOUNT; RDS(ON) TEST VOLTAGE:10V; GATE ...
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