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CYPRESS SEMI
CY3235-PROXDET
DISCONTINUED BY MANUFACTURER DEVELOPMENT KIT; SILICON MANUFACTURER:CYPRESS; SILICON CORE NUMBER:CY8C21434; KIT APPLICATION TYPE:SENSING - TOUCH / PROXIMITY; APPLICATION SUB TYPE:P
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CY2305SXC-1HT
(PRICE/TC),CLOCK GENERATOR / BUFFER, 133.33MHZ, SOIC-8, CLOCK IC TYPE:CLOCK BUFFER, FREQUENCY:133.33MHZ, NO. OF OUTPUTS:5OUTPUTS, SUPPLY VOLTAGE MIN:3V, SUPPLY VOLTAGE MAX:3.6V, CLOCK IC CAS ...
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BYS21-45
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SCHOTTKY RECTIFIER,DIODE, THROUGH HOLE, AXIAL LEADED, DO-15
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BYM300B170DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, 300A, 1.7KV
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BUP314D
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 42A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, WITH BUILT IN DIODE, TO-218
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BTS7740G
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, GATE DRIVER, SMD/SMT MOUNTING, DSO-28 CASE, 4 MA SUPPLY CURRENT, 3.2-42 V SUPPLY VOLTAGE
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BTS740S2
IC, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 2 DRIVER, 8.5A, CMOS, SOP-20
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BTS712N1
SMART HIGH-SIDE POWER SWITCH, 4 INPUTS, 4 OUTPUTS, OPERATING SUPPLY VOLTAGE 5V - 34V, SURFACE MOUNT, PG-DSO-20
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BTS711L1
POWER SWITCH IC, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, CLASSIC PROFET SERIES, 4 DRIVER, 4.4 AMP, MOS, SOP-20, SMD/SMT
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INFINEON
BTS660P E3180A
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 1 DRIVER, 90A, MOS, TO-220-7 SMD
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BTS611L1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 2 DRIVER, 7.5A, MOS, TO-220-7
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BTS432E2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 1 DRIVER, 44A, MOS, TO-220 5 PIN
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BTS410F2 E3043
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SMART HIGHSIDE POWER SWITCH, BUFFER/INVERTER, PERIPHERAL DRIVER, 5.5A, MOS, 5 PIN, STRAIGHT LEADS, TO-220AB/5
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BTS409L1E3062AAUMA1
POWER SWITCH/DRIVER, 1:1, N-CHANNEL 2.3A, PG-TO263-5-2, 5V-34V, 2.3A
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BTS129 E3045A
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, MOSFET, N-CHANNEL, 1 CHANNEL, 50MOHMS, TO-220-3
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INFINEON
BTS129
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MOSFET, N-CHANNEL, THROUGH HOLE, CASE TO220
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INFINEON
BTN7970P
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGNITION CONTROL, HALF BRIDGE, 8 TO 18 V OPERATING SUPPLY
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INFINEON
BSZ088N03LS
MOSFETS N-CH 30V 40A TSDSON-8 OPTIMOS 3
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EUPEC
BSTR68L2337
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SEMICONDUCTOR, THYRISTOR MODULE, DISCREET, 3 INCH DIAMETER, 1-1/2 INCH THICKNESS
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BSP92
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0.18A I(D), 240V, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET
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BSP296
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1.1A I(D), 100V, 0.7OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, SOT223-4
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INFINEON
BSP171P
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1.9A I(D), 60V, 0.3OHM, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, SOT-223 4 PIN
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INFINEON
BSP129
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0.35A I(D), 240V, 20OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, SOT-223 4 PIN
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BSP125
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, MOSFET, N CHANNEL, 600V, 120MA, -55 TO 150 DEG. C, SOT-223
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BSO613SPVGXUMA1
TRANSISTOR, SIPMOS SERIES, MOSFET, P-CHANNEL, 60 VDSS, 3.44 A, 130 MOHM, 2.5 W, SURFACE MOUNT
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BSO220N03MD G
TRANSISTOR, MOSFET, SOIC-8, N-CHANNEL, 2W
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EUPEC
BSM75GP60
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BSM75GD120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 103A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BSM75GB120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BSM75GAL120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BSM600GA120DLC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 600A, 1200V
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BSM50GX120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 3PHASE, 1200V, 78A
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BSM50GP120
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BSM50GD60DLC
IGBT MODULE, 600 VOLTS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE VCEO MAX, 2.2 VOLTS COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE, 70 AMP CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT AT 25 C
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BSM50GD120DN2E326
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BLOCK, LONG LEADS
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BSM50GB120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT POWER MODULE, 78 AMP, SUPPLY VOLTAGE: 4.5 - 6.5 V, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE: 1200 VAC, 400 W
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BSM50GB120DLC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE 50AMP 1200V
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BSM50GAL120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT POWER MODULE, SINGLE SWITCH W/ CHOPPER DIODE, FAST FREE-WHEEL DIODES, INSULATED METAL BASE, 400W POWER DISSIPATION
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BSM400GA120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 550A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BSM-400GA120DLE-3257
IGBT TRANSISTOR MODULE 400AMP-1200VOLT LOW IS6A
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BSM35GP120G
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, MODULE-35
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, MODULE-24
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL
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EUPEC
BSM300GB60DLC
IGBT MODULE 300AMP 600V HALF BRIDGE
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BSM300GB120DLC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 1200V, 300AMP
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