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TD330N16AOF
SCR MODULE, 1.6KV, 330A, 1 SCR, 1 DIODE, CHASSIS MOUNT MODULE
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FZ600R17KE3
IGBT MODULES, 1700V, 600A SINGLE SWITCH
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IFF300B12N2E4P_B11
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, MODULE-28
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FZ900R12KE4
IGBT, 1200V, 900A, MODULE, TRENCH FIELD STOP, SINGLE, 4300W, CHASSIS MOUNT
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FF300R12KS4
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 370A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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DZ600N16KB01
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, RECTIFIER DIODE, 1 PHASE, 1 ELEMENT, 735A, 1600V, SILICON
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DD540N22K
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWERBLOCK, RECTIFIER DIODE, DD540N SERIES, 2200 REVERSE VOLTAGE, 40 MA GATE TRIGGER CURRENT, 540 AMP, -40 TO 150 DEGREE C, DISCRETE, SCREW MOUNT
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TDB6HK180N16RR
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT, MODULE, N CHANNEL, 1.2KV, DC COLLECTOR CURRENT: 140A, COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE VCE(ON): 1.75V, POWER DISSIPATION PD: 515W, COLLECTOR EMITTER V ...
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IRFI530NPBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 12A I(D), 100V, 0.11OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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IRGP30B60KD-EP
(PRICE/EA) IGBT, 1.95V, 60A, TO-247AD-3; DC COLLECTOR CURRENT:60A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE VCE(ON):1.95V; POWER DISSIPATION PD:304W; COLL
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IRGB4062DPBF
IGBT, 600V, 48A, 175DEG C, 250W; DC COLLECTOR CURRENT:48A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE VCE(ON):1.65V; POWER DISSIPATION PD:250W; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE V(BR)CEO:600V; NO. OF PINS ...
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BUP314
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 52A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-218
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IR2153STRPBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, DRIVER, HALF BRIDGE BASED MOSFET, CMOS, SOIC-8
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IPB025N08N3G
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 80V, 120A, TO-263; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:120A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:80V; ON RES
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IPA60R125CP
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 650V, 25A, TO-220FP; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:25A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:650V; ON R
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IKW50N60T
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-247AC, K50T06
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IKW40T120
(PRICE/EA) IGBT, N, 1200V, 40A, TO-247; DC COLLECTOR CURRENT:75A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE VCE(ON):2.3V; POWER DISSIPATION PD:270W; COLLEC
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IKP20N60T
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-220AB
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IKB15N60T
IGBT, LOW LOSS DUOPACK, THRENCH STOP, FIELD STOP, 600V, 15 A, TO-263-3, D2PAK-3
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IKB03N120H2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, IGBT, 1200V, COLLECTOR CURRENT 3A, VCES 2.8V, 62.5W, D2PAK-3
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IGW15T120
IGBT NPT, TRENCH FIELD STOP, 1200V, 30A, 110W, TO247
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IGA03N120H2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 3A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-220AB-3 FP, MARKING: G03H1202
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BTS410E2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 1 DRIVER, 1.8A, MOS, TO-220AB, 5 PIN
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BSP372L6327
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1.7A I(D), 100V, 0.31OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR, SOT-223
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BSC123N10LS G
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 71A, PG-TSDSON-8
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BSC123N08NS3G
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 55A I(D), 80V, 0.0123OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TDSON-8
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BSC093N04LSG
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 13A I(D), 40V, 0.0093OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TDSON-8
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BSM50GD120DN2_B10
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT POWER MODULE, 50 AMPS, 1200 VDC
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15N60V1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MOSFET, TO-263.
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BUZ341
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, N-CHANNEL POWER TRANSISTOR, THROUGH-HOLE MOUNT, CASE: TO-220-3, DRAIN SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE: 200 V, CONTINUOUS DRAIN CURRENT: 33 A, DRAIN SOURCE RESISTANCE: ...
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HYS64T64000HU-3S-B
MEMORY MODULE 512MB DDR2 CL5 DIMM 667MHZ
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BCV62C
TRANSISTOR, DUAL, PNP, SOT-143; TRANSISTOR POLARITY:PNP; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE V(BR)CEO:30V; TRANSITION FREQUENCY TYP FT:250MHZ; POWER DISSIPATION
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SPP07N60S5
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 600V, 7.3A, TO-220-3; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:7.3A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:600V; ON
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DDB6U85N16L
RECTIFIER DIODE MODULE 1600V 85A UN-CNTL
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SAF-C505CA-LM CA
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, PROCESSOR
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BSP295
MOSFET, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1.8A I(D), 60V, 0.5OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, SOT-223, 4 PIN
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INFINEON
IRFZ44ZPBF
MOSFET TRANSISTOR, AUTOMOTIVE, N CHANNEL, 51 A, 55 V, 13.9 MOHM, 10 V, 4 V ROHS COMPLIANT: YES
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INFINEON
IRFZ44NPBF
N CHANNEL MOSFET, 55V, 49A TO-220AB; CHANNEL TYPE:N CHANNEL; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:55V; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:49A; TRANSISTOR MOUNTING:THROUGH HOLE; RDS(ON) TEST VOLTAGE:10V; GATE S ...
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INFINEON
IRFU5410PBF
MOSFET, P-CH, 100V, 13A, 150DEG C, 66W; TRANSISTOR POLARITY:P CHANNEL; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:100V; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:13A; ON RESISTANCE RDS(ON):0.205OHM; TRANSISTOR MOUNTING:THR ...
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