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RESISTOR, METAL FILM, 100K OHMS, 250MW, .1% TOLERANCE
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70HF80
STANDARD DIODE, 70 AMP, 800V AC, DO-5, DIODE TYPE STANDARD RECOVERY, DIODE CONFIGURATION:SINGLE, REPETITIVE REVERSE VOLTAGE VRRM MAX 800
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INTERNATIONAL RECTIFIER
32153496
INTERNATIONAL RECTIFIER , 32153496, RECTIFIER
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INTERNATIONAL RECTIFER, AAF4NPP, IR PRESS FIT RECTIFIER DIODE 25A 400V
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IRKDL450-25S20
RECTIFIER, SMD/SMT, SUPER MAGN-A-PAK CASE, VR - REVERSE VOLTAGE: 2500 V, FAST RECOVERY RECTIFIERS, DUAL SERIES, MAX SURGE CURRENT: 13800 A, RECOVERY TIME: 2000 NS, MAXIMUM OPERATING TEMPERAT ...
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IRKL41/14
INTERNATIONAL RECTIFIER, IRKL41/14, IRKL4114, DIODE MODULE
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SF-60C-450
INTERNATIONAL RECTIFIER, SF-60C-450, SF60C450, SEMICONDUCTOR FUSE, 450 AMP, 600 VAC
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IRFK2D350
IGBT MODULE, 400 VAC, 250 AMP, NUMBER OF ARMS OF BRIDGE: 2, FAST SWITCHING, 3 POLE
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INTERNATIONAL RECTIFIER
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SEMICONDUCTOR DIODE 250A 1200V
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER
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SD300N12PV
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SD200N005P
DISCONTINUED BY MANUFACTURER,DIODE,STANDARD,CATHODE TO STUD
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER
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IRFR120NTRLPBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9.4A I(D), 100V, 0.21OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252AA
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 75A I(D), 55V, 0.0075OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB D2-PAK
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151RA50
INTERNATIONAL RECTIFIER , SCR, 151RA50, RECTIFIER
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G4PC40FD
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, ****USE INTERNATIONAL RECTIFIER PART # IRG4PC40FDPBF
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RECTIFIER POWER MODULE, IRKT SERIES
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, OPTOELECTRONIC DEVICE, 8V, 10UA, DPST, 3.75KV, DIP-8
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IRLMS6802TRPBF
P CHANNEL MOSFET, -20V, 5.6A MICRO6; TRANSISTOR POLARITY:P CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:-5.6A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:-20V; ON RESISTANCE RD
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IRF7205PBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4.6A I(D), 30V, 0.07OHM, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, SOIC-8
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IRFR3709ZPBF
N CHANNEL MOSFET, 30V, 86A, D-PAK; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:86A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:30V; ON RESISTANCE RDS(ON)
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IRG4PC40FDPBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 49A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-247AC
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N CHANNEL MOSFET, 20V, 110A, D2-PAK; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:110A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:20V; ON RESISTANCE RDS(
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 13.6A I(D), 30V, 0.0091OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, SOIC-8
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SINGLE IGBT, 600V, 8.5A; DC COLLECTOR CURRENT:8.5A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE VCE(ON):2.61V; POWER DISSIPATION PD:38W; COLLECTOR EMITTER VO
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IRF7313PBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6.5A I(D), 30V, 0.029OHM, 2-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, MS-012AA, SO-8
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SCI625107-00-0433-4H67A
SCR RECTIFIER BLOCK
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10CTF40
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, RECTIFIER DIODE, 1 PHASE, 2 ELEMENT, 10A, 400V V(RRM), SILICON, TO-220AB
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IR2136JPBF
IC, MOSFET DRIVER, HALF BRIDGE, LCC-44, DEVICE TYPE:HALF BRIDGE, MODULE CONFIGURATION:HALF BRIDGE, PEAK OUTPUT CURRENT:350MA, SUPPLY VOLTAGE RANGE:10V
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(PRICE/EA) IC, MOSFET DRIVER, HALF BRIDGE, SOIC-8, DEVICE TYPE:HALF BRIDGE, MODULE CONFIGURATION:HALF BRIDGE, PEAK OUTPUT CURRENT:350M
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104X125DA125
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SCR ASSEMBLY, SILICON CONTROLLED RECTIFIER, THYRISTOR, 2 WIRE
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RECTIFIER BRIDGE, POWER CUBE, SPADE TERMINALS, FOR RELIANCE ELECTRTIC DRIVES
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D30SC4M
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