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IRF7314QPBF
MIN QTY 665 ; TRANSISTOR TYPE:MOSFET; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:5.2A; DRAIN-SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE:20V ROHS COMPLIANT: YES
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IRL2203NPBF
TRANSISTOR, MOSFET, N CHANNEL, 30V, 116A, 130W, TO-220-3
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IRS2003SPBF
IC, MOSFET DRIVER, HALF BRIDGE, SOIC-8; DEVICE TYPE:HALF BRIDGE; MODULE CONFIGURATION:HALF BRIDGE; PEAK OUTPUT CURRENT:600MA; SUPPLY VOLTAGE RANGE:10V
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IRF3205PBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 75A I(D), 55V, 0.008OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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IRF1405L
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 75A I(D), 55V, 0.0053OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-262AA
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IR2108PBF
MOSFET DRIVER, HALF BRIDGE, DIP-8; DRIVER CONFIGURATION:HIGH SIDE AND LOW SIDE; PEAK OUTPUT CURRENT:350MA; SUPPLY VOLTAGE MIN:10V; SUPPLY VOLTAGE MAX:
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IRF7604TRPBF
P CHANNEL MOSFET, -20V, 3.6A MICRO8; TRANSISTOR POLARITY:P CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:-3.6A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:-20V; ON RESISTANCE RD
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IRF7341Q
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5.1A I(D), 55V, 0.05OHM, 2-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, SO-8
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IRLZ24NSPBF
N CHANNEL MOSFET, 55V, 18A, D2-PAK; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:18A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:55V; ON RESISTANCE RDS(ON
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IRFIZ24EPBF
MOSFET; TRANSISTOR TYPE:MOSFET; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; DRAIN SOURCE VOLTAGEVDS:60V; CONTINUOUS DRAIN CURRENTID:14A; ON RESISTANCERDS(ON):71MOH
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IRL3713STRRPBF
PRICE/EA (MIN PURCH= 800) N CHANNEL MOSFET, 30V, 260A, D2-PAK; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:260A; DRAIN SOURCE VOLTAGE V
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IRF7495TRPBF
N CHANNEL MOSFET, 100V, 7.3A; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:7.3A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:100V; ON RESISTANCE RDS(ON):22
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PVI5013RS-TPBF
PHOTOVOLTAIC ISOLATOR, 10 UA; CONTACT CONFIGURATION:DPST-NO; LEADED PROCESS COMPATIBLE:YES; LOAD CURRENT:10ªA; PEAK REFLOW COMPATIBLE (260 C):YES; REL
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IRLR3410PBF
N CHANNEL MOSFET, 100V, 17A, D-PAK; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:17A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:100V; ON RESISTANCE RDS(O
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IRFR3709ZTRPBF
N CHANNEL MOSFET, 30V, 86A, D-PAK; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:86A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:30V; ON RESISTANCE RDS(ON)
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IRF540NSPBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 33A, 100V, 0.044OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263, MARKING CODE 94-2358
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IRF3710LPBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MOSFET TRANSISTOR, THROUGH-HOLE MOUNT, N-CHANNEL, CASE: TO-262-3, DRAIN SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE: 100 V, CONTINUOUS DRAIN CURRENT: 57 A, DRAIN SOURCE RESSITANCE ...
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IRL3103PBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MOSFET, 30V, 64A TO-220AB, TRANSISTOR POLARITY: N CHANNEL, CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:64A, DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:30V, THROUGH HOLE
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IRF9520NSPBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, MOSFET, P CHANNEL, 100V, 6.8 AMP, TO-263-3 D2-PAK, 480M OHM @ 4 AMP 10V
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IRF7103Q
MIN QTY 760 MOSFET; TRANSISTOR TYPE:MOSFET; TRANSISTOR POLARITY:DUAL N CHANNEL; DRAIN SOURCE VOLTAGEVDS:50V; CONTINUOUS DRAIN CURRENTID:3A; ON RESISTA
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IRL530NLPBF
MOSFET; TRANSISTOR TYPE:MOSFET; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; DRAIN SOURCE VOLTAGEVDS:100V; CONTINUOUS DRAIN CURRENTID:17A; ON RESISTANCERDS(ON):100M
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IRFP054VPBF
MIN QTY 400 MOSFET; TRANSISTOR TYPE:MOSFET; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; DRAIN SOURCE VOLTAGEVDS:60V; CONTINUOUS DRAIN CURRENTID:93A; ON RESISTANCER
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IRFR4104PBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MOSFET, N-CHANNEL 40 V 42A (TC) 140W (TC) SURFACE MOUNT TO-252AA (DPAK), FR4101 MARKING
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IPS1052GPBF
IC, LOW SIDE POWER SWITCH, 5.5V, 8-SOIC; POWER LOAD SWITCH TYPE:LOW SIDE; INPUT VOLTAGE:5.5V; CURRENT LIMIT:1.1A; ON STATE RESISTANCE:0.25OHM; THERMAL
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PVI5033RPBF
SSR, PHOTO MOSFET, 8V, 10 UA; LOAD VOLTAGE MAX:8V DC; LOAD CURRENT:10ªA; CONTACT CONFIGURATION:DPST-NC; ISOLATION VOLTAGE:3.75KV; FORWARD CURRENT IF:2
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IRF3709STRLPBF
(PRICE/TC) MOSFET TRANSISTOR; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:90A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:30V; ON RESISTANCE RDS(ON):9MOH
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INFINEON
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IRL1404PBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 160A I(D), 40V, 0.004OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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IRL540NSPBF
N CHANNEL MOSFET, 100V, 36A, D2-PAK; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:36A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:100V; ON RESISTANCE RDS(
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IRF044
(PRICE/EA) N CHANNEL MOSFET, 60V, 44A TO-204AE; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:44A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:60V; ON RESIS
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IRU3037CS
MIN QTY 380 PULSE WIDTH MODULATION (PWM) CONTROLLER IC; INPUT VOLTAGE PRIMARY MAX:12V; OUTPUT VOLTAGE MAX:10V; NO. OF PINS:8; CONTROL MODE:VOLTAGE; DU
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IRFF120
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6A I(D), 100V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-205AF, 3 PIN
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IRF3710STRLPBF
N CHANNEL MOSFET, 100V, 57A, D2-PAK; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:57A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:100V; ON RESISTANCE RDS(
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IRGS30B60KPBF
SINGLE IGBT, 600V, 78A; TRANSISTOR TYPE:IGBT; DC COLLECTOR CURRENT:78A; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES:600V; POWER DISSIPATION PD:370W; COLLECTOR EMIT
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IRGP50B60PD1PBF
SINGLE IGBT, 600V, 75A; DC COLLECTOR CURRENT:75A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE VCE(ON):2.45V; POWER DISSIPATION PD:390W; COLLECTOR EMITTER VOL
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IRFS59N10D
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 59A, 100V, 0.025OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, D2PAK
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PVI5013RPBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, OPTOELECTRONIC DEVICE, 8V, 10UA, DPST, 3.75KV, DIP-8
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IRLMS6802TRPBF
P CHANNEL MOSFET, -20V, 5.6A MICRO6; TRANSISTOR POLARITY:P CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:-5.6A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:-20V; ON RESISTANCE RD
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IRF7205PBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4.6A I(D), 30V, 0.07OHM, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, SOIC-8
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IRFR3709ZPBF
N CHANNEL MOSFET, 30V, 86A, D-PAK; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:86A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:30V; ON RESISTANCE RDS(ON)
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IRF3711SPBF
N CHANNEL MOSFET, 20V, 110A, D2-PAK; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:110A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:20V; ON RESISTANCE RDS(
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IRF2204SPBF
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 13.6A I(D), 30V, 0.0091OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, SOIC-8
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SINGLE IGBT, 600V, 8.5A; DC COLLECTOR CURRENT:8.5A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE VCE(ON):2.61V; POWER DISSIPATION PD:38W; COLLECTOR EMITTER VO
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IRF-5305S
MOSFET POWER SUPPLY 55V SINGLE P-CHANNEL D2-PAK
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D30SC4M
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