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SILICONIX
J210
TRANSISTOR, MOSFET, 25V, 15MA, TO-92
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VISHAY
SILICONIX
NS8KT-E3/45
RECTIFIERS 800 VOLT 8.0 AMP 125 AMP IFSM
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VISHAY
SILICONIX
SUP75N0304
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 75A I(D), 30V, 0.006OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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VISHAY
SILICONIX
DG508ACK
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SINGLE-ENDED MULTIPLEXER, 1 FUNC, 8 CHANNEL, CMOS, CDIP16
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VISHAY
SILICONIX
TP0610L
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, MOSFET,60V, 0.18A 0.8W, TO-92-3
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VISHAY
SILICONIX
SIHP10N40D-GE3
MOSFET TRANSISTOR, N CHANNEL, 10 A, 400 V, 0.5 OHM, 10 V, 3 V ;ROHS COMPLIANT: YES
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VISHAY
SILICONIX
DG412DJ
ANALOG SWITCH; ANALOG SWITCH TYPE:SPST; NO. OF CHANNELS:4CHANNELS; ON STATE RESISTANCE MAX:-; NO. OF PINS:16PINS; OPERATING TEMPERATURE MIN:-40 C; OPERATING TEMPERATURE MAX:85 C; PRODUCT RAN ...
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VISHAY
SILICONIX
SI9926CDY-T1-E3
MOSFET, DUAL, NN, SO-8, TRANSISTOR POLARITY: DUAL N CHANNEL, CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:8A, DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:20V, ON RESISTANCE RDS(ON):0.018OHM, RDS(ON) TEST VOLTAGE VGS:4.5V, THRE ...
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VISHAY
SILICONIX
DG413DY
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, ANALOG SWITCH, QUAD, SPST, SOIC-16
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VISHAY
SILICONIX
SI4410DY
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 10A I(D), 30V, 0.0135OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, SOP-8
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VISHAY
SILICONIX
VP0808M
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0.31A I(D), 80V, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-237AA
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SILICONIX
DG444DJ
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC, SPST, 4 FUNC, 1 CHANNEL, CMOS, DIP16
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VISHAY
SILICONIX
VN2222L
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR
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VISHAY
SILICONIX
SIA426DJ-T1-GE3
N CHANNEL MOSFET, 20V, 4.5A, SC-70, FULL REEL; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:4.5A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:20V; ON RESISTANCE RDS(ON):0.0361OHM; RDS(ON) TEST VO ...
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VISHAY
SILICONIX
SI9933BDY-T1-E3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3.6A I(D), 20V, 2-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, SOIC-8
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VISHAY
SILICONIX
SI9926CDY-T1-GE3
MOSFET, SI9 SERIES, DUAL CHANNELS, N-CHANNEL, 20 V (VDS), 8 AMP, +/- 12 V GATE-SOURCE VOLTAGE, 3.1 W, SURFACE MOUNT, ROHS COMPLIANT
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VISHAY
SILICONIX
SI9910DY
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRIVER, 1A, BICMOS, SOIC-8
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VISHAY
SILICONIX
SI9410BDY-T1-E3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MOSFET, N-CHANNEL, 30V, 6.2A (TA), 1.5W (TA), SMD, 8-SOIC, 9410B MARKING
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VISHAY
SILICONIX
SI9407BDY-T1-GE3
TRANSISTOR, P CHANNEL MOSFET, -60V, 4.7A, SOIC-8
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SILICONIX
SI9407AEY-T1
P CH MOSFET; TRANSISTOR POLARITY:P CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:3.5A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:-60V; ON RESISTANCE RDS(ON):150MOHM; RDS(ON) TE
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VISHAY
SILICONIX
SI4966DY-T1-E3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, SI4 SERIES, MOSFET, 2.5-V, SOIC-8
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SILICONIX
SI4963BDY-T1-E3
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4.9A I(D), 20V, 2-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, SOP-8
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SILICONIX
SI4943CDYT1E3
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8A I(D), 20V, 2-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, SOP-8
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VISHAY
SILICONIX
SI4920DY-T1-E3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6.9A I(D), 30V, 0.025OHM, 2-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METALOXIDE SEMICONDUCTOR FET, SO-8
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VISHAY
SILICONIX
SI4866DY-T1-E3
MOFSET, SI4 SERIES, 1 N-CHANNEL, 12 V (VDS), 11 AMP (TA), +/- 8 V GATE-SOURCE VOLTAGE, 3 W, ENHANCEMENT CHANNEL MODE, SURFACE MOUNT, ROHS COMPLIANT
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VISHAY
SILICONIX
SI4848DY-T1-E3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2.7A, 150V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, SOP-8
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VISHAY
SILICONIX
DG417DY
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC, ANALOG SWITCH, SOIC-8, 35OHM, 10V-30V
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VISHAY
SILICONIX
DG417DJ
IC, ANALOG SWITCH, SINGLE, SPST, DIP-8; ANALOG SWITCH TYPE:SPST; NO. OF CHANNELS:1; ON STATE RESISTANCE MAX:20OHM; SUPPLY VOLTAGE RANGE:ª 15V; ANALOG
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VISHAY
SILICONIX
DG413LDY
IC, ANALOG SWITCH, QUAD, SPST, SOIC-16; ANALOG SWITCH TYPE:SPST; NO. OF CHANNELS:4; ON STATE RESISTANCE MAX:20OHM; SUPPLY VOLTAGE RANGE:2.7V TO 12V; A
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€1,00
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VISHAY
SILICONIX
IRFR1N60APBF
N CHANNEL MOSFET, 600V, 1.4A, D-PAK; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:1.4A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:600V; ON RESISTANCE RDS(ON):7OHM; RDS(ON) TEST VOLTAGE VGS:10V; ...
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VISHAY
SILICONIX
U1898
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, N-CHANNEL JFET, THROUGH-HOLE MOUNT, CASE: TO-92, SINGLE CONFIGURATION, POWER DISSIPATION: 625 MW, OPERATING TEMPERATURE: -55 TO 150 °C
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VISHAY
SILICONIX
IRFU9110PBF
TRANSISTOR, MOSFET, P CHANNEL, 1 CHANNEL, 100VDS, 4VGS, 1.2OHMS, 8.7NC, 25W, TO-251-3
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SILICONIX
IRFR9210
P CHANNEL MOSFET, -200V, 1.9A D-PAK; TRANSISTOR POLARITY:P CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:-1.9A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:-200V; ON RESISTANCE R
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SILICONIX
IRFB18N50KPBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 17A I(D), 500V, 0.29OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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SILICONIX
IRFB18N50K
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 17A I(D), 500V, 0.29OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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SILICONIX
IRF9Z20PBF
MOSFET, P-CHANNEL, 50V, 9.7 AMP, TO-220 AB, THROUGH HOLE, ROHS3 COMPLIANT
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SILICONIX
IRFI730GPBF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3.7A I(D), 400V, 1OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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VISHAY
SILICONIX
IRFD9120
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER MOSFET, P CHANNEL, 100 V, 1 A, 0.6 OHM, DIP-4
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SILICONIX
IRFPE30PBF
N CHANNEL MOSFET, 800V, 4.1A, TO-247AC; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:4.1A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:800V; ON RESISTANCE RDS(ON):3OHM; RDS(ON) TEST VOLTAGE VGS:1 ...
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VISHAY
SILICONIX
IRFIZ24GPBF
TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:14A, DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:60V, ON RESISTANCE RDS(ON):0.014OHM, RDS(ON) TEST VOLTAGE VGS:10V, THRESHOLD VOLTAGE VGS:4V, POWER DI ...
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SILICONIX
IRFIBF30GPBF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1.9A I(D), 900V, 3.7OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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IRFI620GPBF
TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:4.1A, DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:200V, ON RESISTANCE RDS(ON):0.8OHM, RDS(ON) TEST VOLTAGE VGS:10V, THRESHOLD VOLTAGE VGS:4V, POWER DI ...
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IRFZ20PBF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 15A I(D), 50V, 0.1OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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SILICONIX
DG309BDY-T1-E3
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SILICONIX
SI9711CYT1
IC PCMCIA INTERFACE SWITCH 13.2V SOIC-16 SUPPLY VOLTAGE RANGE2.97V TO 3.63V, 4.5V TO 5.5V,10.8V TO 13.2V OPERATING TEMPERATURE RANGE0C TO +70C DIGITAL
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