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Semiconductors
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Filterergebnisse
INFINEON
IRGBC30UD2
TRANSISTOR, IGBT, TO-220-3, 600V, 23AMP, SI TECHNOLOGY
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MICROCHIP TECHNOLOGY INC
APT60DQ120BG
RECTIFIER, FAST RECOVERY, 3.35V (60A) FORWARD, 1.2KV (100UA) REVERSE, SINGLE CONFIG, 320NS RECOVERY TIME, TO-247 CASE STYLE, 2 PIN, -55/175C OPERATING TEMP, THROUGH HOLE MOUNTED
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VISHAY
BVY28-100
SINTERGLASS DIODE, 100 V, 3.5 AMP, ULTRA FAST, AVALANCHE, CASE: SOD-64, PLATED AXIAL LEADS, OPERATING TEMPERATURE: -55 TO 175 °C
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NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM1921T
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 1 DRIVER, 3A, BIPOLAR, TO-220-5
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NEW JERSEY SEMI
BD246C
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, PNP, 100V, 10A, 80W, TO-218
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HAMAMATSU
S2387-1010R
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SI PHOTODIODE, S2387 SERIES, FOR VISIBLE TO IR/GENERAL-PURPOSE PHOTOMETRY, 15 X 16.5 MM PKG, 10 X 10 MM PHOTOSENSITIVE ACTIVE AREA SIZE, 100 MM EFF PHOTOSENSITI ...
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VISHAY
FEP16AT-E3/45
RECTIFIER, 16A, 10UA, 50V, 35NS, TO-220AB
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TOSHIBA
12JG11
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, RECTIFIER DIODE, 1 PHASE, 12AMP, 600V RRM, FAST RECOVERY, 200NS REVERSE RECOVERY, 700NS FORWARD RECOVERY
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MICROCHIP TECHNOLOGY INC
R34100
SILICON POWER RECTIFIER, DO-5-2 PACKAGE, STUD, 1000V
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RENESAS
HAT1038RJ-EL
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3.5A I(D), 60V, 0.23OHM, 2-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, SMD-8
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RCA
2N6752
TRANSISTOR, SILICON, NPN, 10AMP, 450V, TO-3 PACKAGE, 2 PIN
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TAIWAN SEMICONDUCTOR
BZV55B56 L1
ZENER DIODE, MMELF, 500MW, 135 OHMS, 56 V
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LITTELFUSE
IXYS
MCD162-16I01
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 300A I(T)RMS, 181A I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 ELEMENT
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MULTICOMP
ABS1
BRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE, 1A, 100, ABS, FULL REEL; NO. OF PHASES:SINGLE PHASE; REPETITIVE REVERSE VOLTAGE VRRM MAX:100V; FORWARD CURRENT IF(AV):1A; BRIDGE RECTIFIER CASE STYLE:SMD; FOR ...
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INFINEON
EUPEC
FZ1200R12KL4C
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 1900A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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POWEREX
CM200DU-24F
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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EATON CORPORATION
CUTLER HAMMER
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3P POWER BLOCK - LINE 2/0-#8CU-AL LOAD 2/0-#8CU-AL
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EATON CORPORATION
CUTLER HAMMER
CH16200-3
POWER SPLICER BLOCK, 600 VAC, 600 VDC, 115A, POWER SPLICER BLOCK, THREE-POLE, SCCR: 10 KA, BLACK, MOLDED THERMOPLASTIC
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INFINEON
EUPEC
TT142N16KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, RECTIFIER, SILICON CONTROLLED, 230 AMP I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 ELEMENT, MODULE-7
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ALLEN BRADLEY
1336-QOUT-SP13A
DISCONTINUED BY MANUFACTURER 03/31/2022, TRANSISTOR MODULE, 1336 SERIES, 230 VAC, 50H P, 460V, 100HP-PK2, BLACK, OPEN STYLE, MOUNTABLE
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VISHAY
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DIODE ARRAY, 1 PAIR, COMMON CATHODE, 45V, 6A, TO-263-3, D2PAK
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NATIONAL SEMICONDUCTOR
BC160-10
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, PNP, SILICON, TO-39
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INFINEON
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IGBT MODULE, ECONOPIM 3 SERIES, 100 AMP, 1200 V, 515 W, TRENCH FIELD STOP, CHASSIS MOUNT
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SOLID STATE INC
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BRIDGE RECTIFIER, SINGLE-PHASE, NUMBER OF PINS: 4, RMS INPUT VOLTAGE: 700V MAX., BLOCKING VOLTAGE [DC]: 1000V MAX., AVERAGE OUTPUT CURRENT: 35A, SURGE CURRENT: 400A, PANEL MOUNTING STYLE
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FUJI ELECTRIC
1MBI300NN-120
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, "N" SERIES, 300AMP, 1200V, UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY, CURRENT CONTINUOUS, SCREW MOUNT, MAX OPERATING TEMPERATURE 150 C
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GENERAL ELECTRIC
1N4004
SWGR FAGOR 400V 1AMP DIODE/ALLIED E
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ON SEMICONDUCTOR
MUR1100
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, RECTIFIER, SUPER FAST RECOVERY 500NS, 1AMP, 1000V
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NXP SEMICONDUCTOR
MOTOROLA SEMICONDUCTOR
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, RECTIFIER DIODE, 1 PHASE, 1 ELEMENT, 15A, 500V V(RRM), TO-220AC
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VISHAY
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE, 600W, 26V V(RWM), BIDIRECTIONAL, 1 ELEMENT, SILICON, DO-215AA SMB, CE MARKING CODE
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VISHAY
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, RECTIFIER DIODE, 1 PHASE, 1 ELEMENT, 16A, 150V V(RRM), SILICON, TO-263AB D2PAK
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IXYS
MCC225-12IO1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 400A I(T)RMS, 221000MA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 ELEMENT
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FUJI ELECTRIC
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 15A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL
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LITTELFUSE
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CENTRAL SEMICONDUCTOR
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, 400V V(DRM), 8A I(T)RMS, TO-220AB
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TAIWAN SEMICONDUCTOR
KTC3198-Y A1G
BIPOLAR TRANSISTORS - BJT,BJT TO-92, 60V, 0.15A, NPN BIPOLAR TRANSISTOR
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POWEREX
DTT-1-001107000-ICT
SEMICONDUCTOR, THYRISTOR
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FUJI ELECTRIC
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BLOCK
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ASTEC
BK60A-048L-150F10
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER MODULE, 48 VDC INPUT, 15 VDC OUTPUT, 150 W MAX OUTPUT
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VISHAY
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DIODE ARRAY, 1 PAIR COMMON CATHODE, 200V, 10A, TO-263-3, D2PAK
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ASEA BROWN BOVERI
58983951
IGBT MODULE KIT, 1700 V, 120 A, 2P, KIT R8, POWER PLATE
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TOSHIBA
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ZENER DIODE, VOLTAGE REGULATION, SC-59 PACKAGE
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LITTELFUSE
IXFB44N100Q3
DISCMSFT NCHHIPERFET-Q3 CLASS TO-264(3)/ TUBE
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VISHAY
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RECTIFIER DIODE, 1 PHASE, 1 ELEMENT, 20A, 1600V V(RRM), SILICON, TO-220AC
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VISHAY
VS-20ETF06S-M3
RECTIFIER DIODE, 1 PHASE, 1 ELEMENT, 20A, 600V V(RRM), SILICON, TO-220AC, D2PAK-3
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