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3KM14-3DD231N-LRCTS
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, RECTIFIER ASSEMBLY
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FZ1200R12KL4C
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 1900A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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DD1200S12H4
DIODE MODULE, 1200 AMP, 1200 V, 4 KV, HIGH POWER DENSITY FOR COMPACT INVERTER DESIGNS, IHM B HOUSING, CHASSIS MOUNT, -40 TO +150 DEGREE C
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FZ-800-R-12-KF1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, SINGLE MODULE, TRANSISTOR POWER MODULE, 1200 AMP, 800 V
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FS450R12KE3_S1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 600A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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FZ1800R12KF4
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 1800AMP CONTINUOUS CURRENT, 400NA, 5KW
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FZ2400R12KL4C
IGBT MODULE, 10 KW, 2400 AMP, 1200 V, DUAL COMMON EMITTER COMMON GATE, CHASSIS MOUNT
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D1800N48T
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, RECTIFIER DIODE, 4000 V, 1800 A, 50/60 HZ, 75 MM DIAMETER, CERAMIC HOUSING
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FZ800R12KL4C
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 800AMP, 1200V, SINGLE
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FZ1600R12KF4_S1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 1200 VOLTS, 1600 AMPS
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FZ2400R12KE3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 10 KW, 2400 AMP, 1200 V, DUAL COMMON EMITTER COMMON GATE, CHASSIS MOUNT, (EACH)
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FP50R12KT4_B11
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BSM50GX120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 3PHASE, 1200V, 78A
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FF600R12IP4
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 600A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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FF450R12ME4_B11
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 675A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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FZ800R16KF4-S1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 800AMP, 1600VDC, SINGLE
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261095.34
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, THYRISTOR DIODE MODULE
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FF300R17KE4
IGBT MODULE, DUAL, NPN, 1.7KV DC, 300A, 20%, HALF BRIDGE, ROHS COMPLIANT
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BSM300GB120DLC_E3256
IGBT MODULES IGBT 1200V 300A
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EUPEC
BSM300GB120DLC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 1200V, 300AMP
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FS15R06VE3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 22A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL, MODULE-13
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EUPEC
FZ1200R12KF1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR MODULE, 1200 V, 1200 AMP, 400-800 HP
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FS150R12KT4B11BOSA1
IGBT, MODULE, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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DT430N22KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, THYRISTOR MODULE, 1.78 V, 14 KA, 250 MA, MECHANICAL MOUNTING: SCREW
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BSM200GD60DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 235A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL
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EUPEC
BSM30GD60DLC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, NPT SINGLE 600V 40A 135W, CHASSIS MOUNT MODULE
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BSM100GB120DLCK
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 1200 VAC, 100 AMP, DUAL, CONFIGURATION: HALF BRIDGE, MOUNTING STYLE: SCREW MOUNT
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DZ600N16KB01
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, RECTIFIER DIODE, 1 PHASE, 1 ELEMENT, 735A, 1600V, SILICON
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FF900R12IE4
IGBT MODULE, TRANSISTOR POLARITY: N CHANNEL, DC COLLECTOR CURRENT: 900A, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES: 1.2KV, POWER DISSIPATION PD: 5.1KW, NO. OF PINS:1
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DEMO BOARD, SCREW TERMINAL CONNECTION, 3 OUTPUTS, 60 MA, 8-16 VAC, DIMMABLE
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SCR MODULE, 1.6KV, 330A, 1 SCR, 1 DIODE, CHASSIS MOUNT MODULE
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IGBT MODULE, DUAL, 1700 V, 450 A
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DD540N22K
POWERBLOCK, RECTIFIER DIODE, DD540N SERIES, 2200 REVERSE VOLTAGE, 40 MA GATE TRIGGER CURRENT, 540 AMP, -40 TO 150 DEGREE C, DISCRETE, SCREW MOUNT
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FF450R12ME4B11BPSA2
IGBT, 1.2KV, 675A, MODULE; CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT:675A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE:1.75V; POWER DISSIPATION:2.25KW; OPERATING TEMPERATURE MAX:150°C; IGBT TERMINATION:PRESS FI ...
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BSM300GA120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 430 AMP (25 DEG C), 300 AMP (80 DEG C), 1200 V
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 520A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BLOCK, LONG LEADS
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EUPEC
TT142N12KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 230A I(T)RMS, 142A I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 ELEMENT
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DDB6U205N16L
BRIDGE RECTIFIER DIODE, 208A, 1600V V(RRM)
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FP75R12KE3
IGBT MODULE, 3-PHASE INVERTER, 1200 V MAX. EMITTER VOLTAGE, 105 AMPS CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT, 355 W POWER DISSIPATION, CHASSIS MOUNT
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BSM150GB120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 210A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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FP210L100-22
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, DIFFERENTIAL MAGNETORESISTIVE SENSOR, 1 FUNC, 3 PIN, THROUGH HOLE
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INFINEON
TT121N16KOF
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INFINEON
EUPEC
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EUPEC
TTB6C95N12LOF-B1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, ISOPACK POWER BLOCK, 6 TERMINALS, 95A, 1200V
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