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DDB6U85N16L
RECTIFIER DIODE MODULE 1600V 85A UN-CNTL
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BUP307
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, 3 PIN
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BAW79DE6327HTSA1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, DIODE, SOT89
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BTS409L1E3062AAUMA1
POWER SWITCH/DRIVER, 1:1, N-CHANNEL 2.3A, PG-TO263-5-2, 5V-34V, 2.3A
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IKFW90N60EH3XKSA1
IGBT, SINGLE, 600V, 77A, TO-247; CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT:77A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE:1.85V; POWER DISSIPATION:178W; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE MAX:600V; NO. OF PINS:3PINS; ...
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BCR 108W H6327
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, NPN, SILICON, SOT-323, WH MARKING CODE
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TT330N16KOF
POWER MODULE, THYRISTOR, 1600V, 330A, 115X50 MM
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FS75R12KE3B9BPSA1
IGBT MODULE, 75 AMP, 1200 VAC, MOUNTING STYLE SMD/SMT
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ICE2A0565Z
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SWITCHING REGULATOR, CURRENT-MODE, 0.5A, 107KHZ SWITCHING FREQ-MAX, CMOS, PDIP7
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FS50R12KT4B15BPSA1
IGBT, 1.2KV, 50A, MODULE; CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT:50A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE:1.85V; POWER DISSIPATION:280W; OPERATING TEMPERATURE MAX:150°C; IGBT TERMINATION:SOLDER; COLL ...
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IKCS17F60B2A
IC CHIP, POWER MANAGMENT, MSIP-20-1, 17AMP
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BSF134N10NJ3G
TRANSISTOR, MOSFET, WDSON-2-3, N-CHANNEL
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FS75R12KT4_B15
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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IPB50R250CPATMA1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, MOSFET, N-CHANNEL, DRAIN VOLTAGE: 550 VOLT, DRIVE VOLTAGE: 10 VOLT,13 AMP, 114 WATT, SURFACE MOUNT, +-20 VGS MAX, 1420 PF @ 100 V
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PXC1331BPN-G002
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC CHIP, VQFN-48
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BSZ088N03LS
MOSFETS N-CH 30V 40A TSDSON-8 OPTIMOS 3
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STP11N60C3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, ISOLATED TRANSISTOR, TO-220
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IPD350N06L G
MOSFET, N-CH, 60V, 29A, DPAK-2 (TO-252-3)
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FD500R65KE3-K
IGBT MODULE, 6500 VOLTS, 500 AMPS, CHOPPER
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PEB2465HV2.4
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, FOUR CHANNEL CODEC FILTER
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TLE6214L
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 2 DRIVER, 6.5A, SOP-12
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BYM300B170DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, 300A, 1.7KV
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BSM300GA170DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR
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BDP 949 H6327
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, NPN, SILICON, TO-261-4, TO-261AA
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ND175N34K
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER BLOCK, DIODE MODULE, SINLE POLE, 4 BOLT MOUNTING, (PRICE/EACH)
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TT270N16KOF
PHASE CONTROL THYRISTOR MODULE POWERBLOCK, REPETITIVE PEAK FORWARD OFF-STATE AND REVERSE VOLTAGES: 1600, MAXIMUM RMS ON-STATE CURRENT: 450, SLOPE RESISTANCE: 0,58 MO
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FS50R12KT4PB11BPSA1
IGBT MODULE, 1200V, 100A
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FF150R12YT3
IGBT MODULE, FF150R12YT3,
1.2 KVA, 200A
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BTS410F2 E3043
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SMART HIGHSIDE POWER SWITCH, BUFFER/INVERTER, PERIPHERAL DRIVER, 5.5A, MOS, 5 PIN, STRAIGHT LEADS, TO-220AB/5
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TD500N14KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, THYRISTOR, PHASE CONTROL, 1.4 KV, SMD / SMT MOUNTING, 900 AMPS OUTPUT CURRENT, 1400 VOLTS
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SAB 80C166-S
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC, LEGACY, 16 BIT, MICRO CONTROLLER, 20 MHZ, ROMLESS, 100-BQFP
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MEMORY MODULE, SODIMM, 4 GB, DDR2, 533 MHZ, 1.8 V, 512 MB
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ICE3A5565PBKSA1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SWITCHING REGULATOR, CURRENT-MODE, 100KHZ SWITCHING FREQ-MAX, TO-220, 6 LEAD
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IPW60R075CPAFKSA1
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 39A, 600V, 0.075OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-247
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IRAM256-1567A
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER DRIVER MODULE, IGBT, 3 PHASE, 600V, 15A, 29-POWER, SSIP MODULE, 21 LEADS, FORMED LEADS
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC, HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER, 2.5A, CMOS, PDIP13
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, ASYNCHRONOUS SRAM, 256KBIT, 32KX8, PARALLEL, 12NS, 28-SOJ
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IGBT MODULE, 1200V 400AMP RATING, IGBT3 EMITTER-CONTROLLED HIGH-EFFICIENCY DIODE, 3BOLT INPUT CONNECTIONS, 2 2PIN OUTPUT CONNECTIONS
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 25A I(D), 50V, 0.056OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, NPN + PNP TRANSISTOR, MAX POWER DISSIPATION 250MW, CONFIGURATION ISOLATED, MAX COLLECTOR BASE VOLTAGE 50V, MAX EMITTER BASE VOLTAGE 6V, MAX OPERATING FREQUENCY ...
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SAB80C166-MT3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC CHIP, 16-BIT CPU MICROCONTROLLER, 1KB ON-CHIP RAM, 32KB ON-CHIP ROM
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BSM10GD120DN2BOSA1
IGBT MODULE, THREE PHASE FULL BRIDGE, 15 A, 3.2 V, 80 W, 125*C, ECONOPACK
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, HALF-BRIDGE GATE DRIVER IC, NON-INVERTING, THROUGH-HOLE MOUNT, SUPPLY VOLTAGE: 3.3-20 V, CASE: 16-PDIP
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC CHIP, SMD/ SMT, TSOP-48 PACKAGE
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