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Filterergebnisse
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IPD06N03LAG
TRANSISTORS - FETS, MOSFETS - SINGLE, N-CHANNEL 25 V 50A (TC) 83W (TC) SURFACE MOUNT PG-TO252-3-11
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IPD068N10N3
MOSFET TRANSISTOR, N CHANNEL, 90 A, 100 V, 0.0057 OHM, 10 V, 2.7 V ROHS COMPLIANT: YES
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PVT412ASPBF
MOSFET RELAY, 0.24 AMP, SOLDER, CONTACT FORM: SPST-NO (1 FORM A), LOAD TYPE:AC / DC, LOAD VOLTAGE MAX: 400V, LOAD CURRENT: 240MA, MOSFET RELAY PACKAGE STYLE: DIP-6, RELAY MOUNTING: SURFACE M ...
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€5,47
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TD285N16KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 450A I(T)RMS, 285A I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 ELEMENT, MODULE 5
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BAR74
SWITCHING DIODE, GENERAL PURPOSE, SINGLE, SURFACE MOUNT, SOT-23-3
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FP10R12W1T4_B3
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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FF450R12ME4_B11
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 675A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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IRGS4064DPBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL, D2PAK
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DT430N22KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, THYRISTOR MODULE, 1.78 V, 14 KA, 250 MA, MECHANICAL MOUNTING: SCREW
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DD1200S12H4
DIODE MODULE, 1200 AMP, 1200 V, 4 KV, HIGH POWER DENSITY FOR COMPACT INVERTER DESIGNS, IHM B HOUSING, CHASSIS MOUNT, -40 TO +150 DEGREE C
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BSO220N03MD G
TRANSISTOR, MOSFET, SOIC-8, N-CHANNEL, 2W
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BTS712N1
SMART HIGH-SIDE POWER SWITCH, 4 INPUTS, 4 OUTPUTS, OPERATING SUPPLY VOLTAGE 5V - 34V, SURFACE MOUNT, PG-DSO-20
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FP25R12KT4B11BPSA1
IGBT MODULE, TRENCH FIELD STOP, BRIDGE RECTIFIER, THREE PHASE, 1200V, 25A, 160W, CHASSIS MOUNT, AG-ECONO2B PACKAGE, 93X45X21.3 MM
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FF300R12MS4
IGBT MODULE, IGBT2 FAST SERIES, SILICON, 1200 VOLTS, 370 AMP, -40 TO 150 DEGREE C
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BC807-40 E6327
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BIPOLAR TRANSISTOR, 0.5 AMP, 45 V, 500 MA, 200 MHZ, 330 MW, PNP, SURFACE MOUNT
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BSM15GP120_B2
DISONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 1600V, 40A, 107.5X45 MM
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SGW25N120
IGBT TRANSISTOR,1200V, 25A, TO-247-3 PACKAGE
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TZ500N14KOF
PHASE CONTROL THYRISTOR MODULE, 1400V, 1050 AMP, SINGLE
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TZ425N18KOF
DISCRETE SEMICONDUCTOR MODULE, 1800 V, 800 A
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INFINEON
Q62702A3722
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, SMALL SIGNAL, 100 V, 6 OHM RESISTANCE, 0.17 AMP, N-CHANNEL, PB-FREE, SIPMOS
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INFINEON
IRGBC30UD2
TRANSISTOR, IGBT, TO-220-3, 600V, 23AMP, SI TECHNOLOGY
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FP25R12KT4_B15
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 1.2KV COLLECTOR EMITTER VOLTAGE, 25A CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT, 160W POWER DISSIPATION, 24 PIN, -40/150C OPERATING TEMP, CHASSIS MOUNTED
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BTS611L1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 2 DRIVER, 7.5A, MOS, TO-220-7
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IR2133JPBF
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER, 0.5A, CMOS, PQCC32
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BSM150GAR120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT TRANSISTOR, 1200 V, 150 A, CHASSIS-MOUNT, SINGLE CONFIGURATION
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SPW20N60S5
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 20A I(D), 600V, 0.19OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-247
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SPP20N60S5
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 20A I(D), 600V, 0.19OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
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BSM100GAR120D
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 1200V, 100A, HALF BRIDGE GAR 2
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INFINEON
SAB-C165-L25F HA
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MICROCONTROLLER, 16 BIT, SMD/SMT, 25 MHZ, 77 I/O, 5 V, SAXC165 SERIES, OPERATING TEMPERATURE 0 C TO 70 C
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INFINEON
6ED003L06-F2
HALF BRIDGE BASED IGBT/MOSFET DRIVER, 0.42A, DSO-28
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AM29F400BT-70EF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC CHIP, NOR FLASH MEMORY MODULE, SERIES AM29F400B, 4 MBIT, 5 VDC
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INFINEON
3N0406
TRANSISTOR, N-CHANNEL 4-V (D-S) MOSFET, 3 PIN
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INFINEON
TT162N16KOFAHPSA1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, THYRISTOR MODULE, 1600 V, 162 A, 150 MA, 7 PIN, PANEL MOUNT, OPERATING TEMPERATURE -40°C TO 125°C
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INFINEON
MB3771PF-G-BND-JNE1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT, ADJUSTABLE, 1 CHANNEL, 1.23, BIPOLAR, SOIC-8
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1ED3123MC12HXUMA1
GATE DRIVER, IGBT, MOSFET, 1CH, WSOIC-8; NO. OF CHANNELS:1CHANNELS; GATE DRIVER TYPE:ISOLATED; DRIVER CONFIGURATION:HIGH SIDE; POWER SWITCH TYPE:IGBT, MOSFET, SIC MOSFET; NO. OF PINS:8PINS; ...
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€1,75
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€2,09
INFINEON
TAA2765A
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, OPERATIONAL AMPLIFIER, 2 FUNC, 7500UV OFFSET-MAX, BIPOLAR, PDIP8
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INFINEON
TLE6282G
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVER, SO-20
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€4,89
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€5,81
INFINEON
SPP20N60C3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 20.7A I(D), 600V, 0.19OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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INFINEON
FZ1600R17HP4B2
IGBT POWER MODULE, MODULE CONFIGURATION: SINGLE, TRANSISTOR POLARITY :N CHANNEL, DC COLLECTOR CURRENT: 1600A, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES: 1.7 KV
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FS50R12W2T4B11
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 83A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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FS200R12PT4
IGBT MODULE, 1200V, 200 AMP, ECONOPACK4, EMITTER CONTROLLED, TRENCH / FIELDSTOP
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FP15R12W1T4
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 28A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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FP10R12W1T4B3
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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FP15R06W1E3
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 15A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL, MOUNTING STYLE: SCREW MOUNT
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€35,49
INFINEON
FP10R12W1T4
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
FF900R12IP4
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 900A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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€472,46
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INFINEON
FF900R12IE4
IGBT MODULE, TRANSISTOR POLARITY: N CHANNEL, DC COLLECTOR CURRENT: 900A, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES: 1.2KV, POWER DISSIPATION PD: 5.1KW, NO. OF PINS:1
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€260,42
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INFINEON
FF600R12IP4
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 600A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
FF1400R12IP4
DISCONTINUED BY MANUFACTURER 2019,IGBT MODULE, 1400 AMP, 1200 V, HALF-BRIDGE DUAL MODULE, 4KV AC 1 MIN INSULATION
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€1.336,55
