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IRF510
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MOSFET, N-CH, 100V 5.6A TO-220AB
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IPD06N03LAG
TRANSISTORS - FETS, MOSFETS - SINGLE, N-CHANNEL 25 V 50A (TC) 83W (TC) SURFACE MOUNT PG-TO252-3-11
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BTS611L1E3128ABUMA1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 2 DRIVER, 7.5A, MOS, TO-263-7 SMD
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ITS716G
IC, POWER SWITCH/DRIVER, HIGH SIDE, 4X OUTPUTS, 2.6A, 140M OHM, 5.5-40V, -30 TO 85 DEG. C, SMD/SMT, 20-SOIC
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ITS621L1
IC DUAL HIGH SIDE POWER SWITCH 34V TO220; POWER LOAD SWITCH TYPE:HIGH SIDE; INPUT VOLTAGE:34V; CURRENT LIMIT:8A; ON STATE RESISTANCE:0.1OHM; DISTRIBUT
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FS15R12YT3
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BUP314D
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 42A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, WITH BUILT IN DIODE, TO-218
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BAS116
DIODE, LOW LEAKAGE, SOT-23; DIODE TYPE:SMALL SIGNAL; FORWARD CURRENT IF(AV):250MA; REPETITIVE REVERSE VOLTAGE VRRM MAX:75V; FORWARD VOLTAGE VF MAX:1.2
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BAV99
RECTIFIER DIODE, 2 ELEMENT, 0.125A, 85V V(RRM), SILICON, SOT-23, A7 MARKING
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BSP125
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, MOSFET, N CHANNEL, 600V, 120MA, -55 TO 150 DEG. C, SOT-223
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€2,70
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FF1400R12IP4
DISCONTINUED BY MANUFACTURER 2019,IGBT MODULE, 1400 AMP, 1200 V, HALF-BRIDGE DUAL MODULE, 4KV AC 1 MIN INSULATION
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PVT412ASPBF
MOSFET RELAY, 0.24 AMP, SOLDER, CONTACT FORM: SPST-NO (1 FORM A), LOAD TYPE:AC / DC, LOAD VOLTAGE MAX: 400V, LOAD CURRENT: 240MA, MOSFET RELAY PACKAGE STYLE: DIP-6, RELAY MOUNTING: SURFACE M ...
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SAF-C164CI-LM
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC, 16 BIT, MICROCONTROLLER, ROM/ROMLESS, MQFP-80
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TAA2765A
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, OPERATIONAL AMPLIFIER, 2 FUNC, 7500UV OFFSET-MAX, BIPOLAR, PDIP8
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1ED3123MC12HXUMA1
GATE DRIVER, IGBT, MOSFET, 1CH, WSOIC-8; NO. OF CHANNELS:1CHANNELS; GATE DRIVER TYPE:ISOLATED; DRIVER CONFIGURATION:HIGH SIDE; POWER SWITCH TYPE:IGBT, MOSFET, SIC MOSFET; NO. OF PINS:8PINS; ...
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3N0406
TRANSISTOR, N-CHANNEL 4-V (D-S) MOSFET, 3 PIN
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FP15R12W1T4
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 28A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BSM150GAR120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT TRANSISTOR, 1200 V, 150 A, CHASSIS-MOUNT, SINGLE CONFIGURATION
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TD285N16KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 450A I(T)RMS, 285A I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 ELEMENT, MODULE 5
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INFINEON
TLE6282G
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVER, SO-20
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INFINEON
BSM100GAR120D
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 1200V, 100A, HALF BRIDGE GAR 2
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INFINEON
FF450R12ME4_B11
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 675A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
BTS50055-1TMA
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC, POWER SWITCH, HIGH SIDE, 34V, 70A, 170W, 80US ON, 30US OFF, TO-220-7
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INFINEON
BTS432E2E3062A
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 1 DRIVER, 44A, MOS, GREEN, PLASTIC, TO-220AB, 5 PIN
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BTS824R
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 4 DRIVER, 19A, MOS, SO-20
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TLE4270G
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, 5V, 0.7V DROPOUT, BIPOLAR, TO-263, D2PAK-5
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ITS410E2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC, HIGH SIDE POWER SWITCH, 42V, TO220-5
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ITS4140N
POWER SWITCH IC, PROFET, POWER LOAD SWITCH TYPE: HIGH SIDE, INPUT VOLTAGE: 60V, CURRENT LIMIT: 700MA, ON STATE RESISTANCE: 1OHM
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INFINEON
ISP752R
BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 1 DRIVER, 1.7A, CMOS, SOP-8
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FP75R12KT4B16BOSA1
IGBT, 1200 V, 75 A, THREE PHASE PIM, SOLDERABLE PINS, HIGH SWITCHING FREQUENCY, ROHS-COMPLIANT
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IKW08N120CS7XKSA1
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 21A, TO-247; CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT:21A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE:1.65V; POWER DISSIPATION:106W; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE MAX:1.2KV; NO. OF PINS:3PINS ...
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FZ600R17KE3
IGBT MODULES, 1700V, 600A SINGLE SWITCH
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FP25R12KT4B15BOSA1
IGBT MODULE, 1200V, 25A, TRENCH FIELD STOP, THREE PHASE INVERTER, 160W, CHASSIS MOUNT
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IGD01N120H2
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3.2A I(C), 1200V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, NPN, SILICON, TO-252-3, PLASTIC/EPOXY, 2 PIN
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€1,80
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INFINEON
IPW60R075CPAFKSA1
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 39A, 600V, 0.075OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-247
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INFINEON
IRAM256-1567A
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER DRIVER MODULE, IGBT, 3 PHASE, 600V, 15A, 29-POWER, SSIP MODULE, 21 LEADS, FORMED LEADS
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FF400R12KE3-S5
IGBT MODULE, 1200V 400AMP RATING, IGBT3 EMITTER-CONTROLLED HIGH-EFFICIENCY DIODE, 3BOLT INPUT CONNECTIONS, 2 2PIN OUTPUT CONNECTIONS
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INFINEON
TD162N16KOF-A
POWER BLOCK, THYRISTOR/DIODE, 34MM, 162AMP, 1600V
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INFINEON
TLE4264GHTMA1
LDO, FIXED, 5V, 0.1A, SOT-223-4; OUTPUT TYPE:FIXED; INPUT VOLTAGE MIN:5.5V; INPUT VOLTAGE MAX:45V; NO. OF OUTPUTS:1OUTPUTS; OUTPUT VOLTAGE - NOM:5V; OUTPUT VOLTAGE MIN:-; OUTPUT VOLTAGE MAX: ...
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FP15R12W1T4_B11
IGBT MODULE, THREE PHASE INVERTER, 1200V, 28A 130W, CHASSIS MOUNT MODULE, PRESS FIT
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INFINEON
FF450R12ME4B11BPSA2
IGBT, 1.2KV, 675A, MODULE; CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT:675A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE:1.75V; POWER DISSIPATION:2.25KW; OPERATING TEMPERATURE MAX:150°C; IGBT TERMINATION:PRESS FI ...
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INFINEON
ITS4200S-ME-P
BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, SOT-223-4
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INFINEON
STK15C88-NF45
NVSRAM (NON-VOLATILE SRAM), MEMORY IC, 256KBIT, PARALLEL, 45 NS, 28-SOIC, SURFACE MOUNT, W 7.62MM, L 18.11 MM, H 2.37 MM.
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INFINEON
IPA65R150CFD
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 22.4A, 650V, 0.15OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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€7,00
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INFINEON
FZ900R12KE4
IGBT, 1200V, 900A, MODULE, TRENCH FIELD STOP, SINGLE, 4300W, CHASSIS MOUNT
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€190,65
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INFINEON
ICE2A0565Z
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SWITCHING REGULATOR, CURRENT-MODE, 0.5A, 107KHZ SWITCHING FREQ-MAX, CMOS, PDIP7
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INFINEON
FP35R12KT4_B16
IGBT MODULE, 1200 V, 35 A THREE PHASE PIM,
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INFINEON
FD500R65KE3-K
IGBT MODULE, 6500 VOLTS, 500 AMPS, CHOPPER
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INFINEON
BDP 949 H6327
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, NPN, SILICON, TO-261-4, TO-261AA
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