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T1500N14T0F
PHASE CONTROLTHYRISTOR, 1800V, 1500A
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IRFB3206GPBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 120A I(D), 60V, 0.003OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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FS50R12KT4PB11BPSA1
IGBT MODULE, 1200V, 100A
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SAB 80C166-S
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC, LEGACY, 16 BIT, MICRO CONTROLLER, 20 MHZ, ROMLESS, 100-BQFP
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ICE3A5565PBKSA1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SWITCHING REGULATOR, CURRENT-MODE, 100KHZ SWITCHING FREQ-MAX, TO-220, 6 LEAD
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HYS64T32000HDL-3.7-A
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MEMORY MODULE, 2 GB, 256 MB, 533 MHZ, 1.8 V
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TD162N16KOF-A
POWER BLOCK, THYRISTOR/DIODE, 34MM, 162AMP, 1600V
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TLE4264GHTMA1
LDO, FIXED, 5V, 0.1A, SOT-223-4; OUTPUT TYPE:FIXED; INPUT VOLTAGE MIN:5.5V; INPUT VOLTAGE MAX:45V; NO. OF OUTPUTS:1OUTPUTS; OUTPUT VOLTAGE - NOM:5V; OUTPUT VOLTAGE MIN:-; OUTPUT VOLTAGE MAX: ...
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FP15R12W1T4_B11
IGBT MODULE, THREE PHASE INVERTER, 1200V, 28A 130W, CHASSIS MOUNT MODULE, PRESS FIT
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FF450R12ME4B11BPSA2
IGBT, 1.2KV, 675A, MODULE; CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT:675A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE:1.75V; POWER DISSIPATION:2.25KW; OPERATING TEMPERATURE MAX:150°C; IGBT TERMINATION:PRESS FI ...
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ITS4200S-ME-P
BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, SOT-223-4
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FP210L100-22
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, DIFFERENTIAL MAGNETORESISTIVE SENSOR, 1 FUNC, 3 PIN, THROUGH HOLE
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TLE6282G
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVER, SO-20
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BSM100GAR120D
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 1200V, 100A, HALF BRIDGE GAR 2
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FF450R12ME4_B11
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 675A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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FS75R12KT4_B15
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
FP25R12KT4B11BPSA1
IGBT MODULE, TRENCH FIELD STOP, ECONOPIM 2, THREE PHASE, CHASSIS MOUNT, 1200V, 25A, 160W
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IKFW90N60EH3XKSA1
IGBT, SINGLE, 600V, 77A, TO-247; CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT:77A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE:1.85V; POWER DISSIPATION:178W; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE MAX:600V; NO. OF PINS:3PINS; ...
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FS50R12KT4B15BPSA1
IGBT, 1.2KV, 50A, MODULE; CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT:50A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE:1.85V; POWER DISSIPATION:280W; OPERATING TEMPERATURE MAX:150°C; IGBT TERMINATION:SOLDER; COLL ...
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€52,74
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IPB50R250CPATMA1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, MOSFET, N-CHANNEL, DRAIN VOLTAGE: 550 VOLT, DRIVE VOLTAGE: 10 VOLT,13 AMP, 114 WATT, SURFACE MOUNT, +-20 VGS MAX, 1420 PF @ 100 V
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TT180N12KOF
DISCRETE SEMICONDUCTOR, POWER BLOCK, 1200V, 285A DUAL
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BYM300B170DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, 300A, 1.7KV
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ND175N34K
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER BLOCK, DIODE MODULE, SINLE POLE, 4 BOLT MOUNTING, (PRICE/EACH)
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INFINEON
HYS64T64020HDL-3.7-A
MEMORY MODULE, SODIMM, 4 GB, DDR2, 533 MHZ, 1.8 V, 512 MB
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IR2110-1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC, HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER, 2.5A, CMOS, PDIP13
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IPD350N06L G
MOSFET, N-CH, 60V, 29A, DPAK-2 (TO-252-3)
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PAH10016CM
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 222A 1600V, 2U, DUAL THYRISTOR MODULE, ISOLATED BASE
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IPW60R075CPAFKSA1
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 39A, 600V, 0.075OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-247
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IRAM256-1567A
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER DRIVER MODULE, IGBT, 3 PHASE, 600V, 15A, 29-POWER, SSIP MODULE, 21 LEADS, FORMED LEADS
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BSP171P
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1.9A I(D), 60V, 0.3OHM, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, SOT-223 4 PIN
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BSP296
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1.1A I(D), 100V, 0.7OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, SOT223-4
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FP10R12W1T4B3
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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FS200R12PT4
IGBT MODULE, 1200V, 200 AMP, ECONOPACK4, EMITTER CONTROLLED, TRENCH / FIELDSTOP
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SPP20N60S5
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 20A I(D), 600V, 0.19OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
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ITS716G
IC, POWER SWITCH/DRIVER, HIGH SIDE, 4X OUTPUTS, 2.6A, 140M OHM, 5.5-40V, -30 TO 85 DEG. C, SMD/SMT, 20-SOIC
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ITS621L1
IC DUAL HIGH SIDE POWER SWITCH 34V TO220; POWER LOAD SWITCH TYPE:HIGH SIDE; INPUT VOLTAGE:34V; CURRENT LIMIT:8A; ON STATE RESISTANCE:0.1OHM; DISTRIBUT
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BCR 108 E6327
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, NPN, SILICON, SOT-23-3, WH MAKRING CODE
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FP25R12KS4CBOSA1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULES, 1200V, 40A, 230W, CHASSIC MOUNT
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FP35R12KT4B11BPSA1
IGBT MODULE, CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT:35A, COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE:1.85V, POWER DISSIPATION:210W, IGBT TERMINATION:PRESS FIT, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE MAX:1.2KV, ROHS COMPL ...
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IPB50R140CP
IC, MOSFET, COOLMOS CE SERIES, SMD/SMT, TO-263-3, N-CHANNEL, 1 CHANNEL, 23 AMP, 500 VAC
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Q62702A3722
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, SMALL SIGNAL, 100 V, 6 OHM RESISTANCE, 0.17 AMP, N-CHANNEL, PB-FREE, SIPMOS
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€0,29
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INFINEON
IRGS4064DPBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL, D2PAK
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IPD06N03LAG
TRANSISTORS - FETS, MOSFETS - SINGLE, N-CHANNEL 25 V 50A (TC) 83W (TC) SURFACE MOUNT PG-TO252-3-11
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INFINEON
BCR 108W H6327
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, NPN, SILICON, SOT-323, WH MARKING CODE
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INFINEON
TT330N16KOF
POWER MODULE, THYRISTOR, 1600V, 330A, 115X50 MM
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INFINEON
TLE6214L
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 2 DRIVER, 6.5A, SOP-12
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BSM300GA170DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR
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