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BTS129 E3045A
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, MOSFET, N-CHANNEL, 1 CHANNEL, 50MOHMS, TO-220-3
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INFINEON
IRLU2705
N CHANNEL MOSFET, 55V, 28A, IPAK; TRANSISTOR, POLARITY, CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:28A
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CY7C1051H30-10ZSXI
STANDARD SRAM, 512KX16, 10NS, CMOS, LOW POWER, TSOPII-44, IND TEMP
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FP75R12KT4B16BOSA1
IGBT, 1200 V, 75 A, THREE PHASE PIM, SOLDERABLE PINS, HIGH SWITCHING FREQUENCY, ROHS-COMPLIANT
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INFINEON
IKW08N120CS7XKSA1
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 21A, TO-247; CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT:21A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE:1.65V; POWER DISSIPATION:106W; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE MAX:1.2KV; NO. OF PINS:3PINS ...
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€2,74
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FZ600R17KE3
IGBT MODULES, 1700V, 600A SINGLE SWITCH
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INFINEON
FP25R12KT4B15BOSA1
IGBT MODULE, 1200V, 25A, TRENCH FIELD STOP, THREE PHASE INVERTER, 160W, CHASSIS MOUNT
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INFINEON
IGD01N120H2
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3.2A I(C), 1200V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, NPN, SILICON, TO-252-3, PLASTIC/EPOXY, 2 PIN
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INFINEON
BSO613SPVGXUMA1
TRANSISTOR, SIPMOS SERIES, MOSFET, P-CHANNEL, 60 VDSS, 3.44 A, 130 MOHM, 2.5 W, SURFACE MOUNT
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STK15C88-NF45
NVSRAM (NON-VOLATILE SRAM), MEMORY IC, 256KBIT, PARALLEL, 45 NS, 28-SOIC, SURFACE MOUNT, W 7.62MM, L 18.11 MM, H 2.37 MM.
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€15,79
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INFINEON
IPA65R150CFD
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 22.4A, 650V, 0.15OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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€7,10
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INFINEON
FZ900R12KE4
IGBT, 1200V, 900A, MODULE, TRENCH FIELD STOP, SINGLE, 4300W, CHASSIS MOUNT
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RFP25N05L
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 25A I(D), 50V, 0.056OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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€2,67
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INFINEON
FP15R12KE3GBPSA1
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, MODULE-24
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INFINEON
AM29F800BB-70EF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC CHIP, SMD/ SMT, TSOP-48 PACKAGE
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INFINEON
FF300R12KS4
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 370A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
MB3771PF-G-BND-JNE1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT, ADJUSTABLE, 1 CHANNEL, 1.23, BIPOLAR, SOIC-8
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INFINEON
FP15R12W1T4_B11
IGBT MODULE, THREE PHASE INVERTER, 1200V, 28A 130W, CHASSIS MOUNT MODULE, PRESS FIT
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INFINEON
FP25R12KE3BPSA1
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
TD60N16SOFG1710
THYRISTOR MODULE, PHASE CONTROL, 20MM BASE PLATE, 1600V DRM/RRM, 55A TAVM, 1500A TSM, 4.8 MOHM, 0.47 K/W
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INFINEON
T1500N14T0F
PHASE CONTROLTHYRISTOR, 1800V, 1500A
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INFINEON
IRFB3206GPBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 120A I(D), 60V, 0.003OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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INFINEON
FP210L100-22
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, DIFFERENTIAL MAGNETORESISTIVE SENSOR, 1 FUNC, 3 PIN, THROUGH HOLE
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INFINEON
DDB6U84N16RRBPSA1
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, LOW POWER, ECON
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INFINEON
TLE6282G
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVER, SO-20
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INFINEON
FF450R12ME4B11BPSA2
IGBT, 1.2KV, 675A, MODULE; CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT:675A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE:1.75V; POWER DISSIPATION:2.25KW; OPERATING TEMPERATURE MAX:150°C; IGBT TERMINATION:PRESS FI ...
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INFINEON
ITS4200S-ME-P
BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, SOT-223-4
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INFINEON
Q62702A3722
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, SMALL SIGNAL, 100 V, 6 OHM RESISTANCE, 0.17 AMP, N-CHANNEL, PB-FREE, SIPMOS
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INFINEON
IRGS4064DPBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL, D2PAK
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INFINEON
IPD06N03LAG
TRANSISTORS - FETS, MOSFETS - SINGLE, N-CHANNEL 25 V 50A (TC) 83W (TC) SURFACE MOUNT PG-TO252-3-11
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INFINEON
BSM100GAR120D
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 1200V, 100A, HALF BRIDGE GAR 2
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INFINEON
6ED003L06-F2
HALF BRIDGE BASED IGBT/MOSFET DRIVER, 0.42A, DSO-28
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€7,52
INFINEON
IPB09N03LA
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 50A I(D), 25V, 0.0151OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB D2-PAK
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INFINEON
TZ500N14KOF
PHASE CONTROL THYRISTOR MODULE, 1400V, 1050 AMP, SINGLE
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INFINEON
FF300R12MS4
IGBT MODULE, IGBT2 FAST SERIES, SILICON, 1200 VOLTS, 370 AMP, -40 TO 150 DEGREE C
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INFINEON
FP10R12W1T4_B3
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
DZ600N16KB01
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, RECTIFIER DIODE, 1 PHASE, 1 ELEMENT, 735A, 1600V, SILICON
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€204,00
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INFINEON
BSP129
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0.35A I(D), 240V, 20OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, SOT-223 4 PIN
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€0,70
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INFINEON
BSP171P
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1.9A I(D), 60V, 0.3OHM, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, SOT-223 4 PIN
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BSP296
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1.1A I(D), 100V, 0.7OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, SOT223-4
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€1,51
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€1,80
INFINEON
BCR 108W H6327
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, NPN, SILICON, SOT-323, WH MARKING CODE
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INFINEON
TT330N16KOF
POWER MODULE, THYRISTOR, 1600V, 330A, 115X50 MM
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€177,18
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INFINEON
TLE6214L
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 2 DRIVER, 6.5A, SOP-12
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€11,84
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INFINEON
FS75R12KT4_B15
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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€78,94
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INFINEON
IPD350N06L G
MOSFET, N-CH, 60V, 29A, DPAK-2 (TO-252-3)
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€0,77
INFINEON
S29JL064J60TFA003
MEMORY IC, SERIES JL-J, NON-VOLATILE MEMORY, FLASH FORMAT, 64 MBIT, PARALLEL INTERFACE, 60 NS ACCESS TIME, 2.7-3.6 V, SURFACE MOUNT, 48-TFSOP
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€10,20
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INFINEON
BSM300GA170DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR
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INFINEON
FP35R12KT4BPSA1
IGBT MODULE, TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, DC COLLECTOR CURRENT:35A, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES:1.2KV, POWER DISSIPATION PD:210W, NO. OF PINS:23
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