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ITS621L1
IC DUAL HIGH SIDE POWER SWITCH 34V TO220; POWER LOAD SWITCH TYPE:HIGH SIDE; INPUT VOLTAGE:34V; CURRENT LIMIT:8A; ON STATE RESISTANCE:0.1OHM; DISTRIBUT
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FP25R12KS4CBOSA1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULES, 1200V, 40A, 230W, CHASSIC MOUNT
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IR2238QPBF
MOTOR DRIVER, IGBT, PARALLEL, 64-MQFP (20X14)
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FP50R12KS4C
BLOCK, IGBT MODULE, 1200V, 50A, PIM, ROHS COMPLIANT: YES
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FS75R12KT4_B15
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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PAH10016CM
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 222A 1600V, 2U, DUAL THYRISTOR MODULE, ISOLATED BASE
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IPW60R075CPAFKSA1
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 39A, 600V, 0.075OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-247
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FF400R12KE3-S5
IGBT MODULE, 1200V 400AMP RATING, IGBT3 EMITTER-CONTROLLED HIGH-EFFICIENCY DIODE, 3BOLT INPUT CONNECTIONS, 2 2PIN OUTPUT CONNECTIONS
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FD200R12KE3_S1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE
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IPB60R160P6ATMA1
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 600V, 0.16OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB, 6R160P6 MARKING CODE
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BSM10GP120B9
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 1200V, 10A, 100W, -40 TO 125 DEG. C, SCREW MOUNT, ECONOPIM2
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IRFB4229
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, 250V, 46A, N CHANNEL, POWER MOSFET, SINGLE, TO-220
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TLE4276DV50
FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, 10V, 0.5V DROPOUT, BIPOLAR, TO-252 5 PIN
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AM29F400BT-70EC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC CHIP, SERIES AM29F400B, NOR FLASH MEMORY MODULE, 4 MBIT, 5 VDC
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0010917001758
THYRISTOR MODULE, PHASE CONTROL, 20MM BASE PLATE, 1600V DRM/RRM, 55A TAVM, 1500A TSM, 4.8 MOHM, 0.47 K/W
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T1500N14T0F
PHASE CONTROLTHYRISTOR, 1800V, 1500A
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BCR 108W H6327
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, NPN, SILICON, SOT-323, WH MARKING CODE
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FP35R12KT4BPSA1
IGBT MODULE, TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, DC COLLECTOR CURRENT:35A, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES:1.2KV, POWER DISSIPATION PD:210W, NO. OF PINS:23
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TT270N16KOF
PHASE CONTROL THYRISTOR MODULE POWERBLOCK, REPETITIVE PEAK FORWARD OFF-STATE AND REVERSE VOLTAGES: 1600, MAXIMUM RMS ON-STATE CURRENT: 450, SLOPE RESISTANCE: 0,58 MO
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€12,02
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IRFB3206GPBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 120A I(D), 60V, 0.003OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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BSM100GAR120D
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 1200V, 100A, HALF BRIDGE GAR 2
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FF450R12ME4_B11
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 675A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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IKFW90N60EH3XKSA1
IGBT, SINGLE, 600V, 77A, TO-247; CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT:77A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE:1.85V; POWER DISSIPATION:178W; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE MAX:600V; NO. OF PINS:3PINS; ...
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INFINEON
FS50R12KT4B15BPSA1
IGBT, 1.2KV, 50A, MODULE; CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT:50A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE:1.85V; POWER DISSIPATION:280W; OPERATING TEMPERATURE MAX:150°C; IGBT TERMINATION:SOLDER; COLL ...
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BYM300B170DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, 300A, 1.7KV
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ND175N34K
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER BLOCK, DIODE MODULE, SINLE POLE, 4 BOLT MOUNTING, (PRICE/EACH)
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HYS64T64020HDL-3.7-A
MEMORY MODULE, SODIMM, 4 GB, DDR2, 533 MHZ, 1.8 V, 512 MB
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INFINEON
IR2110-1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC, HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER, 2.5A, CMOS, PDIP13
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IRG8P25N120KD-EPBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT, 1200V, 40A, 180W, THROUGH HOLE, TO-247AD
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DD104N14K-K
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 1400V, 104A, SCREW MOUNT
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SFH611A-1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER, 1-ELEMENT, 5300V ISOLATION, 40-80 CTR, DIP-4
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IPB09N03LA
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 50A I(D), 25V, 0.0151OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB D2-PAK
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IPB70N04S4-06
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, MOSFET, N-CH, 40V, 70A, D2PAK-2, OPTIMOS-T2, 1 CHANNEL
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TAA2765A
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, OPERATIONAL AMPLIFIER, 2 FUNC, 7500UV OFFSET-MAX, BIPOLAR, PDIP8
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1ED3123MC12HXUMA1
GATE DRIVER, IGBT, MOSFET, 1CH, WSOIC-8; NO. OF CHANNELS:1CHANNELS; GATE DRIVER TYPE:ISOLATED; DRIVER CONFIGURATION:HIGH SIDE; POWER SWITCH TYPE:IGBT, MOSFET, SIC MOSFET; NO. OF PINS:8PINS; ...
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INFINEON
ICE2A0565Z
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SWITCHING REGULATOR, CURRENT-MODE, 0.5A, 107KHZ SWITCHING FREQ-MAX, CMOS, PDIP7
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BDP 949 H6327
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, NPN, SILICON, TO-261-4, TO-261AA
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FP100R12KT4B11
IGBT MODULE, ECONOPIM 3 SERIES, 100 AMP, 1200 V, 515 W, TRENCH FIELD STOP, CHASSIS MOUNT
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INFINEON
MB3771PF-G-BND-JNE1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT, ADJUSTABLE, 1 CHANNEL, 1.23, BIPOLAR, SOIC-8
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INFINEON
6ED003L06-F2
HALF BRIDGE BASED IGBT/MOSFET DRIVER, 0.42A, DSO-28
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BSC123N08NS3G
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 55A I(D), 80V, 0.0123OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TDSON-8
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SPD06N60C3
(PRICE/TC) MOSFET, N CHANNEL, 650V, 6.2A, TO-252-3; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:6.2A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:650V; ON
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€1,51
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INFINEON
ITS612N1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC, MOSFET, PROFET, 4A, TO-220-7 BENT
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INFINEON
BSM150GB120DLC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 150A, 1200V
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INFINEON
TT285N16KOF
POWERBLOCK THYRISTOR MODULE, 50MM, 450AMP, 1600V
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FS35R12KT3BOSA1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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€71,03
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INFINEON
BSP742T
BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 1 DRIVER, 1.1A, MOS, SOIC-8
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