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HYS64D32020GDL-6-C
DR SDRAM MEMORY MODULE 256MB
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FS450R17KE3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 605A I(C), 1700V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BSM50GB170DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, N-CHANNEL, HALF BRIDGE, SILICON, 1700V, 50A, 500W, 7 PIN, 94X34X30.5 MM
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BTS724GXUMA1
IC, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 7.3A, SOIC-20
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TT251N16KOF
THYRISTOR POWER BLOCK 250AMP 1600V 50MM
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SPA11N60C3XKSA1
MOSFET, N CHANNEL, 650V, 11A, TO-220FP
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IRF9520NPBF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6.8A I(D), 100V, 0.48OHM, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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IRFB3207PBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC, MOSFET, N CHANNEL, 75V, 180A, THROUGH HOLE, TO-220AB
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PVG612SPBF
TRANSISTOR OUTPUT SSR, 1-CHANNEL, 4000V ISOLATION, SMD-6, 1.2 VDC
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PVI1050NPBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SSR, PHOTO MOSFET, 8V, 10 UA, DPST-NO (2 FORM A), LOAD CURRENT:10A; MOSFET RELAY PACKAGE STYLE:DIP-8 (4-PIN USED), RELAY MOUNTING:THROUGH HOLE;, PC PIN; NO. OF ...
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BTS4142N
(PRICE/EA) IC, HIGH SIDE POWER SWITCH, SOT223-4; POWER LOAD SWITCH TYPE:HIGH SIDE; CURRENT LIMIT:2.2A; DISTRIBUTION SWITCH CASE STYLE:SOT-223; NO. OF
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FS75R12KE3G
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BCV61CE6327
(PRICE/TC) BIPOLAR TRANSISTOR; TRANSISTOR POLARITY:NPN; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE V(BR)CEO:30V; POWER DISSIPATION PD:300MW; DC COLLECTOR CURRENT:100MA
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BSP129H6327XTSA1
(PRICE/TC) MOSFET, N-CH, 240V, 0.35A, SOT-223; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:240V; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:350MA; ON RESISTANCE RDS(ON):4.2OHM; TRANSISTOR MOUNT ...
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BUZ73L
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, MOSFET, N-CH, 200V, 7A, TO220-3
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FS225R12KE3_S1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 3 PHASE, 1200V, 225A, IGBT3-E3 TECHNOLOGY, ECONOPACK+B, 162X150 MM
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BCR 512 E6327
TRANSISTOR, BIPOLAR, PRE-BIASED, 50 V, 500 MA, 100 MHZ, 330 MW
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IRFB4115PBF
N CHANNEL MOSFET, 150V, 104A, TO-220AB; CHANNEL TYPE:N CHANNEL; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:150V; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:104A; TRANSISTOR MOUNTING:THROUGH HOLE; RDS(ON) TEST VOLTAGE:20V; G ...
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IRF4905STRLPBF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 42A I(D), 55V, 0.02OHM, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, D2-PAK
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IRF640NPBF
MOSFET, N CHANNEL, 200V, 18A, TO-220AB; CHANNEL TYPE:N CHANNEL; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:200V; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:18A; TRANSISTOR MOUNTING:THROUGH HOLE; RDS(ON) TEST VOLTAGE:10V; GA ...
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IR2104STRPBF
IC, HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER, 0.36A, CMOS, SOIC-8
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IR2108PBF
DRIVER, MOSFET, HIGH/LOW SIDE, 2108; DRIVER CONFIGURATION:HIGH SIDE AND LOW SIDE; PEAK OUTPUT CURRENT:350MA; SUPPLY VOLTAGE MIN:10V; SUPPLY VOLTAGE MAX:20V; DRIVER CASE STYLE:DIP; NO. OF PIN ...
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IRGPS60B120KDP
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT, NPT TYPE, 1.2KV, 105A, 595W, THROUGH HOLE, TO-274AA
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IRLL3303PBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC, TRANSISTOR, MOSFET, N-CHANNEL, 30V, 3.5A, .031 OHM, TO-261AA
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IR2101SPBF
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C; DRIVER CONFIGURATION:HIGH SIDE AND LOW SIDE; PEAK OUTPUT CURRENT:360MA; SUPPLY VOLTAGE MIN:10V; SUPPLY VOLTAGE MAX:20V; DRIVER CASE STYLE:SOIC; NO. OF PINS:8P ...
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IR2109SPBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER, 0.35A, CMOS, SOIC-8
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IR2132SPBF
IC, MOSFET, HALF BRIDGE, N-CHANNEL, 3 PAHSE, 6 DRIVERS, 20V, 500MA, SOIC-28
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IGBT, 600V, 48A, 175DEG C, 250W; DC COLLECTOR CURRENT:48A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE VCE(ON):1.65V; POWER DISSIPATION PD:250W; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE V(BR)CEO:600V; NO. OF PINS ...
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IRFP3415PBF
MOSFET, N CHANNEL,150V, 43A, TO-247AC, ON RESISTANCE RDS(ON): 0.042OHM, RDS(ON) TEST VOLTAGE VGS: 10V, THRESHOLD VOLTAGE VGS: 4V, ROHS COMPLIANT: YES
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FF300R12KT3
BLOCK, IGBT MODULE, 1200V, 300A, DUAL
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SPW47N60C3FKSA1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 47A I(D), 600V, 0.07OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-247AC
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TD162N16KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, THYRISTOR/DIODE MODULE, POWER BLOCK, 34 MM HOUSING, 1600V, 162A
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TD330N16KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 520A I(T)RMS, 330A I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 ELEMENT, MODULE-5
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TT500N16KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER BLOCK, TT500N SERIES, THYRISTOR, 500 AMP, 1600V
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IR2111SPBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, HALF BRIDGE BASED IGBT/MOSFET DRIVER, 0.5A, CMOS, SOIC-8
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IR21271SPBF
IC, MOSFET DRIVER, HIGH/LOW SIDE, SOIC-8, DRIVER CONFIGURATION:HIGH SIDE AND LOW SIDE, PEAK OUTPUT CURRENT:500MA, SUPPLY VOLTAGE MIN:10V, SUPPLY VOLTAGE MAX:20V, DRIVER CASE STYLE:SOIC, NO. ...
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IR2181SPBF
DRIVER, 10-20V SUPPLY, 1.8A OUTPUT (2.3A PEAK), 60NS RISE TIME, 35NS FALL TIME, SOIC-8
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IRG4PH40KPBF
SINGLE IGBT, 1.2KV, 30A, TO-247AC, DC COLLECTOR CURRENT:30A, COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE VCE(ON):2.74V, POWER DISSIPATION PD:160W, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE V(BR)CEO:1.2KV, NO. OF P ...
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IRFR5305TRLPBF
(PRICE/TC) MOSFET, P CH, 55V, 2.4V GATE, 31A, D-PAK
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IRFR5505TRPBF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 18A I(D), 55V, 0.11OHM, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, DPAK TO-252AA
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FS100R17KE3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, FS100R17KE3
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FF450R12KE4
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 520A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BSM100GB60DLC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 130A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL
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DDB6U215N16L
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FS75R12KT3G
IGBT MODULE, N CHANNEL, 1200V, 100A
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FS20R06VE3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 25A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL
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FP50R12KT4
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